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工艺

   2.1真空蒸膜vacuumevaporationcoating：使镀膜材料蒸发的真空镀膜过程。

   2.1.1同时蒸发simultaneousevaporation：用数个蒸发器把各种蒸发材料同时蒸镀到基片上的真空蒸发。

   2.1.2蒸发场蒸发evaporationfieldevaporation：由蒸发场同时蒸发的材料到基片上进行蒸镀的真空蒸发(此工艺应用于大面积蒸发以获得到理想的膜厚分布)。

   2.1.3反应性真空蒸发reactivevacuumevaporation：通过与气体反应获得理想化学成分的膜层材料的真空蒸发。

   2.1.4蒸发器中的反应性真空蒸发reactivevacuumevaporationinevaporator：与蒸发器中各种蒸发材料反应,而获得理想化学成分膜层材料的真空蒸发。

   2.1.5直接加热的蒸发directheatingevaporation：蒸发材料蒸发所必须的热量是对蒸发材料(在坩埚中或不用坩埚)本身加热的蒸发。

   2.1.6感应加热蒸发inducedheatingevaporation：蒸发材料通过感应涡流加热的蒸发。

   2.1.7电子束蒸发electronbeamevaporation：通过电子轰击使蒸发材料加热的蒸发。 买真空镀膜机，当然选无锡光润！推荐真空镀膜机定制

与蒸发镀膜不同，溅射镀膜不受膜材熔点的限制,可溅射W、Ta、C、Mo、WC、TiC等难熔物质。溅射化合物膜可用反应溅射法，将反应气体 (O、N、HS、CH等)加入Ar气中,反应气体及其离子与靶原子或溅射原子发生反应生成化合物（如氧化物、氮化物等）而沉积在基片上。沉积绝缘膜可采用高频溅射法。基片装在接地的电极上，绝缘靶装在对面的电极上。高频电源一端接地，一端通过匹配网络和隔直流电容接到装有绝缘靶的电极上。接通高频电源后，高频电压不断改变极性。等离子体中的电子和正离子在电压的正半周和负半周分别打到绝缘靶上。由于电子迁移率高于正离子，绝缘靶表面带负电，在达到动态平衡时，靶处于负的偏置电位，从而使正离子对靶的溅射持续进行。采用磁控溅射可使沉积速率比非磁控溅射提高近一个数量级。湖北推荐真空镀膜机生产厂家无锡光润，各种真空镀膜机厂家！

真空镀膜机镀膜是指在真空中制备膜层，包括镀制晶态的金属、半导体、绝缘体等单质或化合物膜。无锡光润为您介绍真空镀膜机的原理。

虽然化学汽相沉积也采用减压、低压或等离子体等真空手段，但一般真空镀膜是指用物理的方法沉积薄膜。真空镀膜机镀膜方法有三种形式，即蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀。 蒸发镀膜：通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面，称为蒸发镀膜。现代已成为常用镀膜技术之一。

蒸发源有三种类型： ①电阻加热源：用难熔金属如钨、钽制成舟箔或丝状,通以电流,加热在它上方的或置于坩埚中的蒸发物质。电阻加热源主要用于蒸发Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料； ②高频感应加热源源：用高频感应电流加热坩埚和蒸发物质； ③电子束加热源：适用于蒸发温度较高（不低于2000[618-1]）的材料，即用电子束轰击材料使其蒸发。

塑料作为镀膜基体材料的特殊性

性塑料的种类很多，并非所有的都可以进行真空镀膜，有的与金属层的结合力很差，没有实用价值，有的与金属镀层的某些物理性质如膨胀系数相差过大，在高温差环境中难以保证其使用性能，所以真空镀膜时，与金属、玻璃等无机物相比，作为基体材料的塑料具有一定的特殊性。

基体耐热性较差

使沉积温度受到制约塑料属于高分子有机物，耐热性较差，特别是光学塑料，一般要在35～45℃的温度下进行镀膜。而真空镀膜时，不论采用什么方法，基体都受到热的影响，如蒸发源的辐射热，高能量的溅射原子撞击基体的动能以及镀膜材料原子的凝聚能等，都会引起基体的温度升高。控制基体温度在允许的范围内，使真空镀膜时的沉积温度受到制约。 真空镀膜机报价找哪家？

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离子镀：蒸发物质的分子被电子碰撞电离后以离子沉积在固体表面，称为离子镀。离子镀是真空蒸发与阴极溅射技术的结合。将基片台作为阴极，外壳作阳极，充入惰性气体（如氩）以产生辉光放电。从蒸发源蒸发的分子通过等离子区时发生电离。正离子被基片台负电压加速打到基片表面。未电离的中性原子（约占蒸发料的95%）也沉积在基片或真空室壁表面。电场对离化的蒸气分子的加速作用（离子能量约几百～几千电子伏）和氩离子对基片的溅射清洗作用，使膜层附着强度提高。离子镀工艺综合了蒸发（高沉积速率）与溅射（良好的膜层附着力）工艺的特点，并有很好的绕射性，可为形状复杂的工件镀膜。

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