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霍尔离子源
霍尔离子源是阳极在一个强轴向磁场的协作下将工艺气体等离子化。这个轴向磁场的强不平衡性将气体离子分离并形成离子束。由于轴向磁场的作用太强,霍尔离子源离子束需要补充电子以中和离子流。常见的中和源就是钨丝(阴极)。
霍尔离子源的特点是:
1简单耐用。2离子电流与气体流量几乎成比例,可获得较大离子电流。3钨丝一般横跨在出口,收离子束冲击很快会销蚀,尤其对反应气体,一般十几个小时就需更换。并且钨丝还会有一定的污染。
为解决钨丝的缺点。有采用较长寿中和器的,如一个小的空心阴极源。
霍尔离子源可以说是应用较广的离子源。如Veece的Mark I 和 Mark II 离子源。适用的如国产的大部分离子源。
如果镀耐磨装饰膜,膜厚大,需要与机体结合力强,而均匀性要求不高。可用霍尔离子源。其离子电流大,且离子能级也高。如果是镀光学膜,则主要要求离子电流能级集中,离子电流均匀性好。故建议用Kaufman或RF离子源,有条件的可采用ECR(电子回旋)或ICP(感应耦合)离子源。另外,也要考虑到耗材,如用钨丝的霍尔源在反应气体中十来个小时就烧断了。而离子源如ICP离子源可在反应气体中连续工作几百小时。 无锡光润真空可根据客户要求设计各类真空镀膜机设备。江苏常用真空镀膜机批发
1.氧化物:一氧化硅SiO,二氧化硅SiO2,二氧化钛TiO2,二氧化锆ZrO2,二氧化铪HfO2,一氧化钛TiO,五氧化三钛Ti3O5,五氧化二铌Nb2O5,五氧化二钽Ta2O5,氧化钇Y2O3,氧化锌ZnO等高纯氧化物镀膜材料。
2.氟化物:氟化钕NbF3,氟化钡BaF2,氟化铈CeF3,氟化镁MgF2,氟化镧LaF3,氟化钇YF3,氟化镱YbF3,氟化铒ErF3等高纯氟化物。
3.其它化合物:硫化锌ZnS,硒化锌ZnSe,氮化钛TiN,碳化硅SiC,钛酸镧LaTiO3,钛酸钡BaTiO3,钛酸锶SrTiO3,钛酸镨PrTiO3,硫化镉CdS等真空镀膜材料。
4.金属镀膜材料:高纯铝Al,高纯铜Cu,高纯钛Ti,高纯硅Si,高纯金Au,高纯银Ag,高纯铟In,高纯镁Mg,高纯锌Zn,高纯铂Pt,高纯锗Ge,高纯镍Ni,高纯金Au,金锗合金AuGe,金镍合金AuNi,镍铬合金NiCr,钛铝合金TiAl,铜铟镓合金CuInGa,铜铟镓硒合金CuInGaSe,锌铝合金ZnAl,铝硅合金AlSi等金属镀膜材料。 山东高质量真空镀膜机厂家直销浙江真空镀膜机厂家,哪家专业?
高频离子源
利用稀薄气体中的高频放电现象使气体电离,一般用来产生低电荷态正离子,有时也从中引出负离子,作为负离子源使用。
在高频电场中,自由电子与气体中的原子(或分子)碰撞,并使之电离。带电粒子倍增的结果,形成无极放电,产生大量等离子体。高频离子源的放电管一般用派勒克斯玻璃或石英管制作。高频场可由管外螺线管线圈产生,也可由套在管外的环形电极产生。前者称为电感耦合,后者称为电容耦合高频振荡器频率为10 ~10 Hz,输出功率在数百瓦以上。
从高频离子源中引出离子可有两种方式。一种是在放电管顶端插入一根钨丝作为正极,在放电管尾端装一带孔负电极,并把该孔做成管形,从中引出离子流。另一种方式是把正极做成帽形,装在引出电极附近,而放电区则在它的另一侧。不管采用哪种引出方式,金属电极都要用石英或玻璃包起来,以减少离子在金属表面的复合。
在高频放电区域中加有恒定磁场时,由于共振现象可提高放电区域中的离子浓度。有时,还在引出区域加非均匀磁场来改善引出。
真空镀膜设备的蒸发源选取原则是什么呢?这是我们关注的一个问题,下面真空镀膜设备厂家分析蒸发源选取原则。1.有良好的热稳定性,化学性质不活泼,达到蒸发温度时加热器本身的蒸汽压要足够底。2.蒸发源的熔点要高于被蒸发物的蒸发温度。加热器要有足够大的热容量。3.蒸发物质和蒸发源材料的互熔性必须很底,不易形成合金。4.要求线圈状蒸发源所用材料能与蒸发材料有良好的浸润,有较大的表面张力。5.对于不易制成丝状、或蒸发材料与丝状蒸发源的表面张力较小时,可采用舟状蒸发源。
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在真空条件下加热工件,主要依赖辐射。由于辐射传热与温度的4次方成比例,所以在850℃以下辐射效果不高,工件加热速度很慢;其次,因为金属材料中的某些合金元素在低压条件下加热时有蒸发损失现象,会造成表面合金元素的贫乏,以致影响其淬火后的表面层性能。对流加热技术是指先将真空镀膜设备真空炉炉膛抽到一定真空度,然后通以0.1—0.2MPa的惰性(Ar、He)、中性(N2)或还原性(H2)气体,并在充分搅动条件下施行加热,与在单纯真空条件下比较,加热速度至少可提高一倍以上。江苏专业真空镀膜机供应商!上海专业真空镀膜机厂家
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主要分类有两个大种类: 蒸发沉积镀膜和溅射沉积镀膜,具体则包括很多种类,包括真空离子蒸发,磁控溅射,MBE分子束外延,溶胶凝胶法等等 。一、对于蒸发镀膜:一般是加热靶材使表面组分以原子团或离子形式被蒸发出来。厚度均匀性主要取决于:1。基片材料与靶材的晶格匹配程度2、基片表面温度3. 蒸发功率,速率4. 真空度5. 镀膜时间,厚度大小。
组分均匀性:蒸发镀膜组分均匀性不是很容易保证,具体可以调控的因素同上,但是由于原理所限,对于非单一组分镀膜,蒸发镀膜的组分均匀性不好。晶向均匀性:1。晶格匹配度2。 基片温度3。蒸发速率 江苏常用真空镀膜机批发
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