河北真空镀膜机

在高真空淀积时，蒸发原子(或分子)与残余气体分子间的碰撞可以忽略不计，因此汽化原子是沿直线飞向基片的，这样保持较大动能到达基片的汽化原子即可以在基片上凝结成较牢固的膜层。在低真空淀积时，由于碰撞的结果会使汽化原子的速度和方向都发生变化，甚至可能在空间生成蒸汽原子体—其道理与水蒸汽在大气中生成雾相似。（2）．在较高的真空度下可以减少残余气体的污染在真空度不太高的情况下，真空室内含有众多的残余气体分子(氧、氮、水及碳氢化合物等)，它们能给薄膜的镀制带来极大的危害。它们与汽化的膜料分子碰撞使平均自由程变短；它们与正在成膜的表面碰撞并与之反应；它们隐藏在已形成的薄膜中逐渐侵蚀薄膜；它们与蒸发源高温化合减少其使用寿命；它们在已蒸发的膜料表面上形成氧化层使蒸镀过程不能顺利进行……。无锡光润主要是做什么的？河北真空镀膜机

霍尔离子源霍尔离子源是阳极在一个强轴向磁场的协作下将工艺气体等离子化。这个轴向磁场的强不平衡性将气体离子分离并形成离子束。由于轴向磁场的作用太强，霍尔离子源离子束需要补充电子以中和离子流。常见的中和源就是钨丝（阴极）。霍尔离子源的特点是：1简单耐用。2离子电流与气体流量几乎成比例，可获得较大离子电流。3钨丝一般横跨在出口，收离子束冲击很快会销蚀，尤其对反应气体，一般十几个小时就需更换。并且钨丝还会有一定的污染。为解决钨丝的缺点。有采用较长寿中和器的，如一个小的空心阴极源。霍尔离子源可以说是应用较广的离子源。如Veece的MarkI和MarkII离子源。适用的如国产的大部分离子源。如果镀耐磨装饰膜，膜厚大，需要与机体结合力强，而均匀性要求不高。可用霍尔离子源。其离子电流大，且离子能级也高。如果是镀光学膜，则主要要求离子电流能级集中，离子电流均匀性好。故建议用Kaufman或RF离子源，有条件的可采用ECR（电子回旋）或ICP(感应耦合)离子源。另外，也要考虑到耗材，如用钨丝的霍尔源在反应气体中十来个小时就烧断了。而离子源如ICP离子源可在反应气体中连续工作几百小时。安徽现货真空镀膜机真空镀膜机哪家便宜？当然找光润！

磁控溅射镀膜是在真空中充入惰性气体，并在塑料基体和金属靶之间加上高压直流电，由辉光放电产生的电子激发惰性气体，产生等离子体，等离子体将金属靶材的原子击出，沉积在塑料基体上。由于溅射原子能量比蒸发原子能量高1～2个数量级，高能量的溅射原子沉积在基体时转换的能量多，甚至可发生部分注入现象，同时溅射成膜过程中，基体始终在等离子区中被清洗，因此溅射镀膜与塑料表面的附着力要比蒸发镀膜好，膜层致密、均匀，如配合适当的工件转动，可在复杂表面上获得较均匀的镀层离子镀膜是蒸发工艺与溅射技术的结合，它是在镀膜的同时采用荷能离子轰击工件表面和膜层，使得镀膜层和基体结合力好，不易脱落。由于金属原子的能量低于蒸镀时的能量，即使是耐热性较差的塑料，在其表面也可生成稳定性良好的金属薄膜。

离子镀：蒸发物质的分子被电子碰撞电离后以离子沉积在固体表面，称为离子镀。离子镀是真空蒸发与阴极溅射技术的结合。将基片台作为阴极，外壳作阳极，充入惰性气体（如氩）以产生辉光放电。从蒸发源蒸发的分子通过等离子区时发生电离。正离子被基片台负电压加速打到基片表面。未电离的中性原子（约占蒸发料的95%）也沉积在基片或真空室壁表面。电场对离化的蒸气分子的加速作用（离子能量约几百～几千电子伏）和氩离子对基片的溅射清洗作用，使膜层附着强度提高。离子镀工艺综合了蒸发（高沉积速率）与溅射（良好的膜层附着力）工艺的特点，并有很好的绕射性，可为形状复杂的工件镀膜。真空镀膜机专业售后服务！

真空镀膜主要指一类需要在较高真空度下进行的镀膜。真空镀膜设备若有灰尘，将会影响真空镀膜的效果和质量。首先，被镀膜材料表面肯定是有灰尘的，在尽量减小材料表面灰尘的前提下，我们还应当注意以下几点：1、真空镀膜设备使用一段时间后，必须要对设备进行清洁维护；2、规范操作人员及操作要求，包括穿戴专业的服装、手套、脚套等；3、严格处理衬底材料，做到清洁干净，合乎工艺要求；4、源材料符合必要的纯度要求；5、保证设施设备及操作环境清洁。如材料、样品放置地环境要求，环境温度湿度要求等；6、降低真空镀膜设备室内空气流动性低、尽量减小室外灰尘侵入。无锡专业真空镀膜机供应商！北京常用真空镀膜机

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