釜川异质结技术

光伏高效异质结电池整线解决方案，产业机遇：方向清晰：HJT技术工艺流程短、功率衰减低、输出功率稳定、双面发电增益高、未来主流技术方向；时间明确：HJT平均量产效率已超过PERC瓶颈（25%），行业对HJT电池投入持续加大，电池商业化已逐渐成熟；机遇可期：设备与耗材是HJT规模化的关键，降本增效是不变的主题，具备HJT整线整合能力的供应商优势明显。当前HJT生产成本约：硅片占比约50%，银浆占比约25%，靶材约6%左右；当前HJT设备成本约：清洗制绒设备、PECVD设备、PVD设备、丝网印刷，设备投资额占比分别约10%、50%、25%和15%。光伏异质结的制造工艺包括薄膜沉积、热处理、光刻等步骤，具有灵活性高、可定制化的优点。釜川异质结技术

异质结硅太阳能电池的工艺要求与同质结晶体硅太阳能电池相比，有几个优点：与同质结形成相比，异质结形成期间的热预算减少。a-Si:H层和TCO前接触的沉积温度通常低于250℃。与传统的晶体硅太阳能电池相比，异质结的形成和沉积接触层所需的时间也更短。由于异质结硅太阳能电池的低加工温度及其对称结构，晶圆弯曲被抑制。外延生长：在晶体硅和a-Si:H钝化层之间没有尖锐的界面，而外延生长的结果是混合相的界面区域，界面缺陷态的密度增加。在a-Si:H的沉积过程中，外延生长导致异质结太阳能电池的性能恶化，特别是影响了Voc。事实证明，在a-Si:H的沉积过程中，高沉积温度（>140℃）会导致外延生长。其他沉积条件，如功率和衬底表面的性质，也对外延生长有影响，通过使用a-SiO:H合金而不是a-Si:H，可以有效抑制外延生长。HJT的清洗特点:在制绒和清洗之后的圆滑处理导致了表面均匀性的改善，减少了微观粗糙度，并提高了整个装置的性能。此外，氢气后处理被发现有利于提高a-Si:H薄膜的质量和表面钝化。CVD对比：HWCVD比PECVD有几个优点。例如，硅烷的热解避免了表面的离子轰击，而且产生的原子氢可以使表面钝化。河南异质结设备供应商光伏异质结电池PVD设备连续完成正背面TCO镀膜，产能高。

高效异质结电池整线设备，HWCVD 1、热丝化学气相沉积(HotWireCVD，HWCVD)是利用高温热丝催化作用使SiH4分解来制备非晶硅薄膜，对衬底无损伤，且成膜质量非常好，但镀膜均匀性较差，且热丝作为耗材，成本较高；2、HWCVD一般分为三个阶段，一是反应气体在热丝处的分解反应，二是基元向衬底运输过程中的气相反应，第三是生长薄膜的表面反应。PECVD镀膜均匀性较高，工艺窗口宽，对衬底损伤较大。HWCVD是利用高温热丝催化作用使SiH4分解来成膜，对衬底无损伤，且成膜质量好，但镀膜均匀性较差且成本较高。

光伏异质结的光吸收机制是基于半导体材料的能带结构和光子能量的匹配原理。当光子能量与半导体材料的能带结构相匹配时，光子会被吸收并激发出电子和空穴对，从而产生光电效应。在光伏异质结中，通常采用p-n结构，即将p型半导体和n型半导体通过界面结合形成异质结。当光子进入异质结时，会被p-n结的电场分离，使电子和空穴分别向p型和n型半导体移动，从而产生电流。此外，光伏异质结的光吸收机制还与材料的光学性质有关，如折射率、吸收系数等。因此，在设计光伏异质结时，需要考虑材料的能带结构、光学性质以及p-n结的结构参数等因素，以实现高效的光电转换。异质结电池提升了太阳能电池的转换效率、良率和产能，并极大降低了生产成本。

光伏异质结的效率提高可以从以下几个方面入手：1.提高光吸收率：通过优化材料的能带结构和厚度，增加光吸收的有效路径，提高光吸收率，从而提高光电转换效率。2.提高载流子的收集效率：通过优化电极结构和材料，减小电极与半导体之间的接触电阻，提高载流子的收集效率，从而提高光电转换效率。3.降低复合损失：通过控制材料的缺陷密度和表面状态，减少载流子的复合损失，从而提高光电转换效率。4.提高光电转换效率：通过优化材料的能带结构和电子结构，提高光电转换效率，从而提高光伏异质结的效率。5.提高光伏电池的稳定性：通过优化材料的稳定性和耐久性，提高光伏电池的使用寿命和稳定性，从而提高光伏异质结的效率。光伏异质结是一种高效太阳能电池，具有双面发电和低光衰减等优点。合肥HJT异质结无银

异质结电池主工艺之一：PVD设备。釜川异质结技术

高效异质结电池整线解决方案，TCO的作用：在形成a-Si:H/c-Si异质结后，电池被用一个~80纳米的透明导电氧化物接触。~80纳米薄的透明导电氧化物（TCO）层和前面的金属网格。透明导电氧化物通常是掺有Sn的InO（ITO）或掺有Al的ZnO。通常，TCO也被用来在电池的背面形成一个介电镜。因此，为了理解和优化整个a-Si:H/c-Si太阳能电池，还必须考虑TCO对电池光电性能的影响。由于其高掺杂度，TCO的电子行为就像一个电荷载流子迁移率相当低的金属，而TCO/a-Si:H结的电子行为通常被假定为类似于金属-半导体结。  TCO的功函数对TCO/a-Si:H/c-Si结构中的带状排列以及电荷载流子在异质结上的传输起着重要作用。此外，TCO在大约10纳米薄的a-Si:H上的沉积通常采用溅射工艺；在此，应该考虑到在该溅射工艺中损坏脆弱的a-Si:H/c-Si界面的可能性，并且在工艺优化中必须考虑到。釜川异质结技术