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    车用电磁阀和电阻的公共端还通过第二电阻连接二极管的正极，二极管的负极连接+，二极管的正极还通过第三电阻接地，二极管和第三电阻的公共端作为诊断输入端连接cpld控制器提供诊断状态位，cpld控制器的反馈输出端还连接至mcu并输出反馈状态位。其进一步的技术方案为，cpld控制器在检测到车用电磁阀短路或断路时，控制驱动控制信号为无效状态，同时通过反馈输出端向mcu输出有效的反馈状态位。其进一步的技术方案为，cpld控制器的反馈输出端包括断路反馈输出端，cpld控制器在驱动使能信号无效且诊断状态位为高电平时，通过断路反馈输出端向mcu反馈有效的断路反馈状态位。其进一步的技术方案为，cpld控制器的反馈输出端包括短路反馈输出端，cpld控制器在驱动使能信号有效且诊断状态位为低电平时，通过短路反馈输出端向mcu反馈有效的短路反馈状态位。其进一步的技术方案为，mcu在读取cpld控制器反馈的有效的状态位输出信号后，向cpld控制器发送清零信号，cpld控制器根据清零信号对反馈输出端复位至无效状态。本发明的有益技术效果是：本申请公开了一种车用电磁阀的故障检测电路，该故障检测电路使用少量的离散器件实现了对车用电磁阀的故障检测。陕西电子线圈哪家好，强烈推荐无锡东英电子有限公司。贵州电子线圈生产

    发生软故障位置的漆包线特征阻抗会引起高频入射波的反射。s参数，即散射参数，是建立在入射波、反射波关系基础上的网络参数，可以很好的反映高频状态下电路的参数与工况，电路发生细微变化都能得到很好的反映，因此可以采用s参数来反映中间继电器的电路参数，并基于s参数分析来实现继电器线圈软故障的检测。在给中间继电器的线圈加入激励信号测试线圈的s参数，与正常的中间继电器相比，存在软故障的中间继电器的线圈的s参数的相频特性曲线中相角值为零时对应的频率会发生改变。本实施方式通过与正常中间继电器的s参数相角为零对应的频率进行对比分析，用来判断中间继电器的线圈是否存在软故障。更进一步，与正常中间继电器相比，软故障越严重的中间继电器，其电路参数变化越大，s参数中相角为零时的频率变化程度越大，可以根据这个频率的变化程度来反映中间继电器软故障的严重程度。其软故障的严重程度与其目标频率(s参数中相角为0时的个频率)与正常中间继电器目标频率(相角值为0时对应的频率)的距离成正比。本实施方式的一种中间继电器线圈软故障检测方法，包括：s1、建立两组数据样本：a组和b组，a组为中间继电器线圈正常的散射参数，b组为中间继电器线圈软故障后。浙江**电子线圈原装电子线圈厂哪家好，强烈推荐无锡东英电子有限公司。

    电动车无刷电机控制器短路的工作模型解决方案：温升公式：Tj=Tc+P×Rth(jc)根据单脉冲的热阻系数确定允许的短路时间工作温度越高短路保护时间就应该越短1短路模型及分析短路模型如图1所示，其中*画出了功率输出级的A、B两相(共三相)。Q1和Q3为A相MOSFET，Q2和Q4为B相MOSFET，所有功率MOSFET均为AOT430。L1为电机线圈，Rs为电流检测电阻。当控制器工作时，如电机短路，则会形成如图1中所示的流经Q2，Q3的短路电流，其电流值很大，达几百安培，MOSFET的瞬态温升很大，这种情况下应及时保护，否则会使MOSFET结点温度过高而使MOSFET损坏。短路时Q3电压和电流波形如图2所示。图2a中的MOSFET能承受45us的大电流短路，而图2b中的MOSFET不能承受45us的大电流短路，当脉冲45us关断后，Vds回升，由于温度过高，*经过10us的时间MOSFET便短路，Vds迅速下降,短路电流迅速上升。由图2我们可以看出短路时峰值电流达500A，这是由于短路时MOSFET直接将电源正负极短路，回路阻抗是导线，PCB走线及MOSFET的Rds(on)之和，其数值很小，一般为几十毫欧至几百毫欧。2计算合理的保护时间在实际应用中，不同设计的控制器，其回路电感和电阻存在一定的差别以及短路时的电源电压不同。

    导致控制器三相输出线短路时的短路电流各不相同，所以设计者应跟据自己的实际电路和使用条件设计合理的保护时间。短路保护时间计算步骤：计算MOSFVBHET短路时允许的瞬态温升因为控制器有可能是在正常工作时突然短路，所以我们的设计应是基于正常工作时的温度来计算允许的瞬态温升。MOSFET的结点温度可由下式计算：Tj=Tc+P×Rth(jc)其中：Tc：MOSFET表面温度Tj：MOSFET结点温度Rth(jc)：结点至表面的热阻，可从元器件Dateet中查得。理论上MOSFET的结点温度不能超过175℃，所以电机相线短路时MOSFET允许的温升为：Trising=Tjmax-Tj=175-109=66℃。根据瞬态温升和单脉冲功率计算允许的单脉冲时的热阻由图2可知，短路时MOSFET耗散的功率约为：P=Vds×I=25×400=10000W脉冲的功率也可以通过将图二测得波形存为EXCEL格式的数据，然后通过EXCEL进行积分，从而得到比较精确的脉冲功率数据。对于MOSFET温升计算有如下公式：Trising=P×Zθjc×Rθjc其中：Rθjc------结点至表面的热阻，可从元器件Dateet中查得。Zθjc------热阻系数Zθjc=Trising÷(P×Rθjc)Zθjc=66÷(10000×)=根据单脉冲的热阻系数确定允许的短路时间由图3**下面一条曲线(单脉冲)可知，对于单脉冲来说。新型电子线圈厂哪家好，强烈推荐无锡东英电子有限公司。

    其性能和MFZ10-YC完全相同MFZ12-37YCMFZ12B-37YCMFZ30-90YCMFZ60-37YCMFZ12B-37YCMFZ60-37YCMFZ10-37YC-24VDC-30WMFZ10-37YCMFB10-37YCMFZ10-90YC阀用电磁铁MFZ10-22YC阀用电磁铁MFZ10-37YC阀用电磁铁MFB10-37YC阀用电磁铁MFZ10-22YCMFZ10-22YCMFZ10-90YC阀用电磁铁现货供应MFZ60-37YCMFZ30-90YC等产品系列MFZ60-37YC24VDC30W现货MFZ60-37YC24VDC30W现货MFZ2-60YC直流湿式阀用电磁铁MFZ6-YC系列直流湿式阀用电磁铁MFB6-YC系列交流本整型湿式阀用电磁铁MFJ6-YC系列交流湿式阀用电磁铁MFB8-90YCAC220V36W单层线圈是用绝缘导线一圈挨一圈地绕在纸筒或胶木骨架上。如晶体管收音机中波天线线圈。单层绕组就是在每个定子槽内只嵌置一个线圈有效边的绕组，因而它的线圈总数只有电机总槽数的一半。单层绕组的优点是绕组线圈数少工艺比较简单；没有层间绝缘故槽的利用率提高；单层结构不会发生相间击穿故障等。缺点则是绕组产生的电磁波形不够理想，电机的铁损和噪音都较大且起动性能也稍差。中**电子线圈哪家好，强烈推荐无锡东英电子有限公司。山西电子线圈****

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