砷靶图片

阴-阳极间距对靶溅射电压的影响 　　真空气体放电阴-阳极间距能够对靶溅射电压造成一定的影响。在阴-阳极间距偏大时，等效气体放电的内阻主要由等离子体等效内阻决定，反之，在阴-阳极间距偏小时，将会导致等离子体放电的内阻呈现较小数值。由于在磁控靶点火起辉后进入正常溅射时，如果阴-阳极间距过小，由于靶电源输出的溅射电压具有一定的软负载特性，就有可能出现在溅射电流已达工艺设定值时，靶溅射电压始终很低又调不起来的状况。“工艺型”靶电源可以改善和弥补这种状况;而“经济型”靶电源对这种状况无能为力。 　　1. 孪生靶(或双磁控靶)阴-阳极间距 　　对称双极脉冲中频靶电源和正弦波中频靶电源带孪生靶或双磁控靶运行时，建议其两交变阴-阳极的小极间距不应小于2英2口寸; 　　2. 单磁控靶阴-阳极间距 　　靶电源带单磁控靶运行时，一般都不存在这方面问题;但是，在小真空室带长矩形平面磁控单靶时容易忽略这个问题，磁控靶面与真空室金属壳体内壁的小极间距一般亦建议不小于2英2口寸。在一定功率的情况下，参与化合物生成的反应气体量增加，化合物生成率增加。砷靶图片

PVD技术简介 PVD技术是在真空中将钛、金、石墨、水晶等金属或非金属、气体等材料利用溅射、蒸发或离子镀等技术，在基材上形成薄膜的一种表面处理过程。与传统化学镀膜方法相比，PVD有很多优点：如对环境无污染，是绿色环保工艺；对操作者无伤害；膜层牢固、致密性好、抗腐蚀性强，膜厚均匀。    PVD技术中经常使用的方法主要有：蒸发镀膜（包括电弧蒸发、电子蒸发、电阻丝蒸发等技术）、溅射镀膜（包括直流磁控溅射、中频磁控溅射、射频溅射等技术），这些方法统称物***相沉积（Physical Vapor Deposition），简称为PVD。行业内通常所说的“IP”（ion plating）离子镀膜，是因为在PVD技术中各种气体离子和金属离子参与成膜过程并起到重要作用，为了强调离子的作用，而统称为离子镀膜。南通合金靶厂家化学反应必须在一个固体表面进行。反应溅射生成物在靶表面、基片表面、和其他结构表面进行。

3.晶粒尺寸及晶粒尺寸分布

   通常靶材为多晶结构，晶粒大小可由微米到毫米量级。对于同一种靶材，晶粒细小的靶的溅射速率比晶粒粗大的靶的溅射速率快；而晶粒尺寸相差较小(分布均匀)的靶溅射沉积的薄膜的厚度分布更均匀。

4..密度

 为了减少靶材固体中的气孔，提高溅射薄膜的性能，通常要求靶材具有较高的密度。靶材的密度不仅影响溅射速率，还影响着薄膜的电学和光学性能。靶材密度越高，薄膜的性能越好。此外，提高靶材的密度和强度使靶材能更好地承受溅射过程中的热应力。密度也是靶材的关键性能指标之一。

ITO薄膜制作过程中的影响因素    ITO薄膜在溅镀过程中会产生不同的特性，有时候表面光洁度比较低，出现“麻点”的现象，有时候会出现高蚀间隔带，在蚀刻时还会出现直线放射型缺划或电阻偏高带，有时候会出现微晶沟缝。         常用的ITO靶材是通过烧结法生产的，就是由氧化铟（In2O3）和氧化锡（SnO2）粉末按照一定的比例进行混合，通常质量比是90%In2O3和10% SnO2，形成的黑灰色陶瓷半导体（氧化铟锡，ITO）。一般通过外观就可以了解ITO靶材的质量，深灰色是好的，相反越黑质量越差，我国生产的ITO靶材质量还可以的是黑灰色的。         研究显示，在真空镀膜机ITO薄膜溅镀过程中，使用磁控溅射的方式，基底温度控制在200℃左右可以保证薄膜85%以上高可见光透过率下，电阻率达到低，而薄膜的结晶度也随着基底温度的提高而提高，晶粒尺寸也逐渐增大，超过200℃后透射率趋于减弱；使用电子束蒸镀的方式，随着退火温度升高，晶粒尺寸变大，表面形貌均一稳定，超过600℃后颗粒变得大小不一，形状各异，小颗粒团聚现象严重，薄膜表面形貌破坏。一般情况下金属的溅射系数要比化合物的溅射系数高，所以靶中毒后溅射速率低。

纯度

  纯度是靶材的主要性能指标之一，因为靶材的纯度对薄膜的性能影响很大。不过在实际应用中，对靶材的纯度要求也不尽相同。例如，随着微电子行业的迅速发展，硅片尺寸由6”、 8”发展到12”, 而布线宽度由0.5um减小到0.25um,0.18um甚至0.13um，以前99.995%的靶材纯度可以满足0.35umIC的工艺要求，而制备0.18um线条对靶材纯度则要求99.999%甚至99.9999%。

2.杂质含量

 靶材固体中的杂质和气孔中的氧气和水气是沉积薄膜的主要污染源。不同用途的靶材对不同杂质含量的要求也不同。例如，半导体工业用的纯铝及铝合金靶材，对碱金属含量和放射性元素含量都有特殊要求。

1. 靶材安装准确否? 2. 靶材表面是否干净------------金属靶表面氧化或有不清洁物质，打磨清理干净后即可。常州锂靶图片

果用冷却壁的翘曲程度严重或背板翘曲严重会造成靶材安装时发生开裂或弯曲。砷靶图片

真空技术中的清洁处理 (一)概述    真空技术清洁处理一般指的是真空装置的结构材料、填装材料和真空零(部)件的清洁处理。去除或减少污染物将有利于获得良好真空，增加连接强度和气密性，提高产品的寿命 和可靠性。 (二)污染物的几种类型 ①油脂:加工、安装和操作时沾染的润滑剂、真空油脂等; ②水滴:操作时的手汗，吹玻璃时的唾液等; ③表面氧化物:易氧化材料长期基露或放置在潮湿大气中所形成的表面氧化物; ④酸、碱、盐类物质:清洗后的残余物质、手汗、自来水中的矿物质等; ⑤空气中的尘埃及其它有机物。 (三)污染的形成及其影响 真空装置由许多不同的零件组成，它们都是经过各种机械加工完成的，如车、铣、刨、磨、锉、焊接等。这样，零件表面不可避免地会沾上许多加工油脂、汗痕、抛光膏、焊剂、金属屑、油垢等污染物。这些污染物在真空中易挥发，影响真空设备的极限真空。此外，污染物在大气压下吸附了大量的气体，在真空环境中，这些气体也要被释放出来。构成了限制真空设备极限真空的因素。为此，零件组装前必须***掉污染物。砷靶图片

江阴典誉新材料科技有限公司地处江苏省江阴市，是一家专业生产溅射靶材和蒸发材料的公司，溅射靶材充分借鉴国外的先进技术，并通过与国内外**研发机构合作，整合各行业资源优势，生产出多系列***溅射靶材产品。 公司目前主要生产金属，合金，陶瓷三大类靶材产品。经过几年的发展和技术积累，已经拥有：真空热压，冷压烧结，真空熔炼，热等静压，等离子喷涂等技术。另外也可根据客户要求研发新型靶材并提供靶材金属化、绑定和背板服务。 江阴典誉新材料科技有限公司已为以下行业提供***的靶材：平面显示、装饰与工具、太阳能光伏和光热、电子和半导体、建筑与汽车玻璃大面积镀膜等工业领域。同时也为国内外各大院校和研究所提供了很多常规和新型的试验用靶材。 江阴典誉目前拥有真空热压炉两台，冷压烧结炉一台，真空熔炼设备两台，等静压设备一台，等离子喷涂两套，绑定平台两套，各类机加工设备七台，检验设备若干，确保出厂的每件产品都能达到甚至超过客户的预期。 江阴典誉秉承：“一切以客户的需求为导向，客户的所有需求一次做好。”的发展理念。