南通硒化锑靶价钱

钯，是银白色过渡金属，较软，有良好的延展性和可塑性，能锻造、压延和拉丝。块状金属钯能吸收大量氢气，使体积***胀大，变脆乃至破裂成碎片。 原 子 量：106.4 密  度（20℃）/g•cm-3：12.02 熔  点/℃：1552 蒸发温度/℃：1460 沸  点/℃：3140 汽化温度/℃：1317 比 热 容（25℃）J•（g•K）-1：0.2443 电 阻 率（0℃）/uΩ•cm：10.6 熔 化 热/kJ•mol-1：16.7 汽 化 热/ kJ•mol-1：361.7 热 导 率（0～100℃）/J•（cm•s•℃）-1：0.753 电阻温度系数（0～100℃）/℃-1：0.0038 外  观：银白色 蒸 发 源（丝、片）：W（镀Al2O3） 坩  埚：Al2O3 性  质：与难溶金属形成合金，闪烁蒸发，在EB***内激烈飞溅，钯是银白色过渡金属，较软，有良好的延展性和可塑性，能锻造、压延和拉丝。块状金属钯能吸收大量氢气，使体积***胀大，变脆乃至破裂成碎片。化学性质不活泼，常温下在空气和潮湿环境中稳定，加热至 800℃，钯表面形成一氧化钯薄膜。 二、主要产品： 1、钯 颗粒 99.99%（点击查看详情） 常规尺寸：φ3*6mm；量大可定做

背靶到靶材的导热性能就会受到很大的影响，导致在溅射过程中热量无法散发**终会造成靶材开裂或脱靶。南通硒化锑靶价钱

PVD颜色膜之玫瑰金 玫瑰金，单从她那浪漫的名字，就能引起人们无数美妙的联想。在闪闪发光的黄金饰品与经典高雅的铂金饰品之后，色调柔和迷人的玫瑰金饰品渐成为时尚人士的“新宠”，以她特有的风格与文化，演绎出贵金属饰品的又一片崭新天地。通常玫瑰金由75％的黄金与其它合金组成（俗称三色金）。 硬度较纯金高，与传统的黄金和铂金相比，粉红色的玫瑰金不但能使有色宝石的色彩更加浓重，还体现了金属材质的精致、细腻。其粉红、玫瑰等暖色调给人们带来温暖与愉快；在款式上也是千姿百态，有心形、榄尖形、椭圆形、梨形、祖母绿形。各种风格迥异的饰品，可谓璀璨耀眼，女性无论是着职业装，还是晚礼服及吊带裙，与之相配都显出高雅的气质。 玫瑰金颜色**近几年在手表行业非常流行，很多品牌都采用PVD在不锈钢表壳和表带上沉积玫瑰金涂层的方式进行，行业内叫IP玫瑰金，其工艺已经非常成熟。玫瑰金镀层一般有仿金层和玫瑰金层构成，底层的仿金层一般为TiCN，主要是增加玫瑰金的硬度和耐磨度。成都铝锌靶调试靶中毒时，靶面形成一层绝缘膜，正离子到达阴极靶面时由于绝缘层的阻挡，不能直接进入阴极靶面。

PECVD 制备氢化非晶硅薄膜 　　本实验采用单晶硅片为衬底，按石英玻璃基片的清洗步骤清洗后烘干，然后置于PECVD系统中。样品制备条件为衬底温度250℃，工作气压120 Pa， 射频功率100 W， 气体流量SiH4/H2=15/5 sccm， 沉积时间30min， 制备得到a- Si：H 薄膜样品。 　　(1) 非晶硅薄膜的表面粗糙度会随着溅射功率的增大而增大，膜的均匀性将会变差; 　　(2) 非晶硅薄膜的表面粗糙度随着衬底加热温度的增大而减小，非晶硅薄膜均匀性变好; 　　(3) 在0.5 Pa 至2.0 Pa范围内，随着氩气气压的增加非晶硅薄膜的表面粗糙度稍微变大; 　　(4) 随着溅射时间的增加, 膜的厚度成非线性增加，沉积速率开始较快，之后逐渐减慢，膜的表面粗糙度逐渐变大; 　　(5)随着溅射气压的增大，沉积速率有所降低。

直流磁控溅射制备锌-锑热电薄膜的技术探讨 热电材料是一种能够实现热能和电能直接相互转换的绿色环保型功能材料。近年来研究发现，热电薄膜化有助于热电材料减低热导率，从而能够有效的提高材料的热电转换效率，因此具有十分重要的科学研究价值。Zn-Sb合金是采用的P 型热电半导体材料之一，但由于其较低的热电优值，所以没有得到普遍的应用。 　　但近几年研究发现，在263 K~767K 温度区间稳定存在的β-Zn4Sb3 具有非常优异的热电性能，材料少含稀土材料以及可适用于中温，被国内外认为是具有前景的中温热电材料之一。因此，本文选取纯度为99.99%的Zn 和Sb 金属靶作为靶材，采用直流磁控共溅射技术，制备Zn-Sb 合金热电薄膜，研究不同热处理条件下合成的Zn-Sb 化合物热电薄膜的结构与热电特性变化规律。 　　结果表明，选取适当的溅射Zn和Sb的功率条件，溅射完成合金薄膜后在Ar 气氛下进行623 K 退火热处理，可形成具有单一β-Zn4Sb3相结构的Zn-Sb 热电薄膜，且薄膜颗粒大，较致密，所制备的热电薄膜具有优良的热电性能。3. 起辉电源是否正常------------检查靶电源。

影响磁控靶溅射电压的主要因素有：靶面磁场、靶材材质、气体压强、阴-阳极间距等。本文详细分析这些因素距对靶溅射电压的影响。 　　一、 靶面磁场对靶溅射电压的影响 1. 磁控靶的阴极工作电压，随着靶面磁场的增加而降低，也随着靶面的溅射刻蚀槽加深而降低。溅射电流也随着靶面的溅射刻蚀槽加深而加大。这是因为靶的溅射刻蚀槽面会越来越接近靶材后面的磁钢的强磁场。因此，靶材的厚度是有限制的。较厚的非磁性靶材能够在较强的磁场中使用。 　　2. 铁磁性靶材会对磁控靶的溅射造成影响，由于大部分磁力线从铁磁性材料内部通过，使靶材表面磁场减少，需要很高电压才能让靶面点火起辉。除非磁场非常的强，否则磁性材靶材必须比非磁性材料要薄，才能起辉和正常运行(永磁结构的Ni靶的典型值<0.16cm，磁控靶非特殊设计**大值一般不宜超过3mm，Fe，co靶的**大值不超过2mm;电磁结构的靶可以溅射厚一些的靶材，甚至可达6mm厚)才能起辉和正常运行。正常工作时，磁控靶靶材表面的磁场强度为0.025T~0.05T左右;靶材溅射刻蚀即将穿孔时，其靶材表面的磁场强度大为提高，接近或大于0.1T左右。如果不能及时调整反应气体流量，化合物覆盖面积增加的速率得不到***，溅射沟道将进一步被化合物覆盖。成都钴酸锂靶厂家

七．溅射靶材的制备方法有哪些？南通硒化锑靶价钱

基于非晶IGZO真空材料的阻变存储器与忆阻器 从真空材料结构及电子结构角度入手，将In、Ga 元素引入到ZnO 材料中形成InGaZnO(IGZO)非晶合金材料，由于球对称的In 5s 轨道交叠较大，使得该材料具有形变对电学输运影响较小且迁移率较高的特点。 　　利用上述材料优势，采用室温工艺，在塑料衬底上制作了高性能IGZO 柔性阻变存储器。器件在连续十万次大角度弯折测试中，性能稳定，存储信息未丢失。变温电学输运特性的研究表明：阻变行为与氧离子移动密切相关，该存储器的低阻导电通道由缺氧局域结构组成，而缺氧态的局部氧化导致了存储器由低阻态向高阻态的转变。 　　在此基础上，利用IGZO 非晶薄膜的电学性质可调节性及其对激励信号可作出动态反应等特点，设计并制备了由两层不同含氧量IGZO 薄层构成的忆阻器件;实现了对人脑神经突触多种基本功能的仿生模拟，涉及兴奋性突触后电流、非线性传输特性、长时程/短时程可塑性、刺激频率响应特性、STDP 机制、经验式学习等多个方面。南通硒化锑靶价钱

江阴典誉新材料科技有限公司地处江苏省江阴市，是一家专业生产溅射靶材和蒸发材料的公司，溅射靶材充分借鉴国外的先进技术，并通过与国内外知名研发机构合作，整合各行业资源优势，生产出多系列高品质溅射靶材产品。 公司目前主要生产金属，合金，陶瓷三大类靶材产品。经过几年的发展和技术积累，已经拥有：真空热压，冷压烧结，真空熔炼，热等静压，等离子喷涂等技术。另外也可根据客户要求研发新型靶材并提供靶材金属化、绑定和背板服务。 江阴典誉新材料科技有限公司已为以下行业提供高品质的靶材：平面显示、装饰与工具、太阳能光伏和光热、电子和半导体、建筑与汽车玻璃大面积镀膜等工业领域。同时也为国内外各大院校和研究所提供了很多常规和新型的试验用靶材。 江阴典誉目前拥有真空热压炉两台，冷压烧结炉一台，真空熔炼设备两台，等静压设备一台，等离子喷涂两套，绑定平台两套，各类机加工设备七台，检验设备若干，确保出厂的每件产品都能达到甚至超过客户的预期。 江阴典誉秉承：“一切以客户的需求为导向，客户的所有需求一次做好。”的发展理念。