无锡铜铬镍靶材绑定

时间:2020年07月26日 来源:

本实施例中,所述抛光片300包括抛光片***部分310、抛光片第二部分320及抛光片第三部分330。所述抛光片***部分310设置于所述顶板210的底部。所述抛光片第二部分320设置于所述顶板210与所述侧板220的拐角处,且在所述抛光片***部分310及抛光片第三部分330间平滑的过渡。所述抛光片第三部分330设置于所述侧板220的内侧面上,所述抛光片第三部分330表面与抛光片***部分310表面垂直。

所述抛光片第二部分320呈弧状,与经圆角处理的靶材侧棱相匹配,可对靶材侧棱进行抛光。所述抛光片第三部分330表面为平整的平面,能够对靶材侧壁表面进行抛光。因此所述靶材抛光装置100能够同时对靶材侧壁表面及经圆角处理的侧棱进行抛光,有助于提高抛光作业效率。 溅射出靶材的原子、原子团、离子、电子、光子等,原子、离子、原子团沉积到基材上形成薄膜。无锡铜铬镍靶材绑定

晶粒尺寸及晶粒尺寸分布

 通常靶材为多晶结构,晶粒大小可由微米到毫米量级。对于同一种靶材,晶粒细小的靶的溅射速率比晶粒粗大的靶的溅射速率快;而晶粒尺寸相差较小(分布均匀)的靶溅射沉积的薄膜的厚度分布更均匀。

密度

为了减少靶材固体中的气孔,提高溅射薄膜的性能,通常要求靶材具有较高的密度。靶材的密度不仅影响溅射速率,还影响着薄膜的电学和光学性能。靶材密度越高,薄膜的性能越好。此外,提高靶材的密度和强度使靶材能更好地承受溅射过程中的热应力。密度也是靶材的关键性能指标之一 无锡铜铬镍靶材绑定金属靶表面氧化或有不清洁物质,打磨清理干净后即可。

利用原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM),对所制备的非晶硅薄膜进行了定性和定量的表征,研究了溅射功率、衬底温度、溅射时间、氩气气压等因素对非晶硅薄膜表面形貌和厚度的影响。实验结果表明:非晶硅薄膜的表面粗糙度会随溅射功率、溅射时间和溅射气压的增加而增大,而随着衬底加热温度的增加而减小。   对制备的非晶硅薄膜在不同温度和时间进行了退火处理。再利用X- 射线衍射仪(XRD)和拉曼光谱仪,对不同退火温度的样品进行晶化程度的表征。实验结果表明:不同条件制备的非晶硅薄膜在750℃退火1 h 后就已发生不同程度的晶化,并且直流磁控溅射制备的非晶硅薄膜比射频磁控溅射制备的非晶硅薄膜更容易发生晶化;退火温度越高,非晶硅薄膜晶化速率越快。   此外,通过拉曼激光诱导晶化,结果表明:拉曼激光诱导非晶硅晶化为局域晶化,具有晶化速度快的特点;晶化过程中,需要控制激光强度,过强的激光会把非晶硅薄膜烧蚀掉。

背景技术:

溅射镀膜属于物***相沉积方法制备薄膜的工艺之一,具体是指利用高能粒子轰击靶材表面,使得靶材原子或分子获得足够的能量逸出,并沉积在基材或工件表面,从而形成薄膜。

由于背板具有良好的导电导热性能,且还可以起到固定支撑作用,因此,靶材在镀膜前需与背板焊接在一起,然后共同装配至溅射基台。

一般活性金属靶材,例如铝靶材,由于长期暴露在空气中,靶材表面材料容易氧化形成一层氧化皮。在直流脉冲、中频溅射过程中,离子撞击的能量不足以破坏该氧化皮,导致靶材原子或分子难以逸出,因此在将靶材安装至溅射基台之前,需要对靶材表面进行抛光。此外,对于活性金属靶材及非活性金属靶材,抛光操作有利于改善靶材的溅射速率的稳定性,有助于提高溅射镀膜质量。 晶粒细小的靶的溅射速率比晶粒粗大的靶的溅射速率快。

NCVM不导电膜是什么,它有哪些特点? NCVM又称不连续镀膜技术或不导电电镀技术,是一种起缘普通真空电镀的高新技术。真空电镀,简称VM,是vacuum metallization的缩写。它是指金属材料在真空条件下,运用化学、物理等特定手段进行有机转换,使金属转换成粒子,沉积或吸附在塑胶材料的表面,形成膜,也就是我们所谓的镀膜。真空不导电电镀,又称NCVM,是英文Non conductive vacuum metallization的缩写。它的加工工艺高于普通真空电镀,其加工制程比普通制程要复杂得多。 NCVM特点是采用镀出金属及绝缘化合物等薄膜,利用各相不连续之特性,得到外观有金属质感且不影响到无线通讯传输之效果。首先要实现不导电,满足无线通讯产品的正常使用;其次要保证“金属质感”这一重要的外观要求;通过UV涂料与镀膜层结合,保证产品的物性和耐候性,满足客户需求。溅射靶材的制备按工艺可分为熔融铸造和粉末冶金两大类。无锡碳化铌靶材贴合

一般情况下金属的溅射系数要比化合物的溅射系数高,所以靶中毒后溅射速率低。无锡铜铬镍靶材绑定

 靶材材质对靶溅射电压的影响   1. 在真空条件不变的条件下,不同材质与种类靶材对磁控靶的正常溅射电压会产生一定的影响。   2. 常用的靶材(如铜Cu、铝Al、钛Ti„)的正常溅射电压一般在400~600V的范围内。   3. 有的难溅射的靶材(如锰Mn、铬Cr等) 的溅射电压比较高, 一般需>700V以上才能完成正常磁控溅射过程;而有的靶材(如氧化铟锡ITO) 的溅射电压比较低,可以在200多伏电压时实现正常的磁控溅射沉积镀膜。   4. 实际镀膜过程中,由于工作气体压力变化,或阴极与阳极间距偏小(使真空腔体内阻抗特性发生变化),或真空腔体与磁控靶的机械尺寸不匹配,同时选用了输出特性较软的靶电源等原因,导致磁控靶的溅射电压(即靶电源输出电压)远低于正常溅射示值,则可能会出现靶前存虽然呈现出很亮的光圈,就是不能见到靶材离子相应颜色的泛光,以至不能溅射成膜的状况。无锡铜铬镍靶材绑定

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