硒靶材绑定

所述防护层400包括***防护层和第二防护层，所述***防护层覆盖所述顶板210底部表面；所述第二防护层覆盖所述侧板220的内侧面。所述***防护层表面与第二防护层表面相垂直。

本实施例中，所述***防护层与第二防护层厚度相等。

本实施例中，所述***防护层与第二防护层为一体成型。在其他实施例中，所述***防护层及第二防护层还可以为分体的。

本实施例中，所述靶材抛光装置100还包括：把手，所述把手设置于所述固定板200的外表面上。

为便于操作人员双手抓握，所述把手的数量为两个，其中一个所述把手设置于所述固定板200的顶部，另一个所述把手设置于所述固定板200的侧壁上，该设置方式有利于提高操作人员手持所述靶材抛光装置100进行抛光作业的便捷性。

本实施例中，两个所述把手分别为***把手510和第二把手520，所述***把手510设置于所述顶板210上，所述第二把手520设置于所述侧板220上。 如果化合物的生成速率大于化合物被剥离的速率，化合物覆盖面积增加。硒靶材绑定

磁控溅射离子镀 　　(1)在基体和工件上是否施加(直流或脉冲)负偏压，利用负偏压对离子的吸引和加速作用，是离子镀与其它镀膜类型的一个主要区别。蒸发镀时基体和工件上加有负偏压就是蒸发离子镀 ;多弧镀时基体和工件上加有负偏压就是多弧离子镀;磁控溅射时基体和工件上加有负偏压就是磁控溅射离子镀，这是磁控溅射离子镀技术的一个重要特点。 　　(2)磁控溅射离子镀是把磁控溅射和离子镀结合起来的技术。在同一个真空腔体内既可实现氩离子对磁控靶材的稳定溅射，又实现了高能靶材离子在基片负偏压作用下到达基片进行轰击、溅射、注入及沉积作用过程。整个镀膜过程都存在离子对基片和工件表面的轰击，可有效基片和工件表面的气体和污物;使成膜过程中，膜层表面始终保持清洁状态。 　　(3) 磁控溅射离子镀可以在膜-基界面上形成明显的混合过渡层(伪扩散层)，提高膜层附着强度;可以使膜层与工件形成金属间化合物和固熔体，实现材料表面合金化，甚至出现新的晶相结构。 　　(4)磁控溅射离子镀形成膜层的膜基结合力好、膜层的绕镀性好、膜层组织可控参数多、膜层粒子总体能量高，容易进行反应沉积，可以在较低温度下获得化合物膜层。 常州ZnMgCa靶材费用一般靶材抛光后，溅射速率、电压等工艺参数比较稳定，容易控制。

溅射镀膜不良膜层分析，改善方法： 1.白雾主要表现：膜层外观一层白雾。 原因分析及改善：（白雾可擦拭）：外层膜松散粗糙；出炉温差大；潮气吸附；膜层结构不均匀；反应气体不足/不均匀；外层膜应力大等。     （白雾不可擦拭）：残留脏污；材腐蚀污染；膜层之间不匹配；反应气体不足/不均匀；基材受潮污染；真空室脏有水汽；环境温差大。 2.发蒙主要表现：膜层表面粗糙无光。 原因分析及改善：设备漏气；反应气体故障；膜层过厚；偏压故障；       3.色斑主要表现：局部膜色变异。 原因分析及改善：腐蚀，局部折射率改变；前道工程夹具加工方法痕迹（形状规则、部位一致、界限分明）； 周转运输库存过程留下痕迹；研磨抛光残留；多层膜系中，部分膜层过薄；机组微量返油。 4.打火 5.碰擦伤主要表现：划痕碰伤。 原因分析及改善：划痕有膜层：镀前碰擦伤；划痕无膜层（漏基材）：镀后碰擦伤。

真空镀膜中靶材中毒会出现哪些想象，如何解决？

靶面金属化合物的形成。

由金属靶面通过反应溅射工艺形成化合物的过程中，化合物是在哪里形成的呢？由于活性反应气体粒子与靶面原子相碰撞产生化学反应生成化合物原子，通常是放热反应，反应生成热必须有传导出去的途径，否则，该化学反应无法继续进行。在真空条件下气体之间不可能进行热传导，所以，化学反应必须在一个固体表面进行。反应溅射生成物在靶表面、基片表面、和其他结构表面进行。

靶中毒的影响因素

影响靶中毒的因素主要是反应气体和溅射气体的比例，反应气体过量就会导致靶中毒。反应溅射工艺进行过程中靶表面溅射沟道区域内出现被反应生成物覆盖或反应生成物被剥离而重新暴露金属表面此消彼长的过程。如果化合物的生成速率大于化合物被剥离的速率，化合物覆盖面积增加。在一定功率的情况下，参与化合物生成的反应气体量增加，化合物生成率增加。如果反应气体量增加过度，化合物覆盖面积增加，如果不能及时调整反应气体流量，化合物覆盖面积增加的速率得不到控制，溅射沟道将进一步被化合物覆盖，当溅射靶被化合物全部覆盖的时候，靶完全中毒，在靶面上沉积一层化合金属膜。使其很难被再次反应。 在靶材的技术工艺中为了减少靶材固体中的气孔，提高溅射薄膜的性能。

PVD技术简介 PVD技术是在真空中将钛、金、石墨、水晶等金属或非金属、气体等材料利用溅射、蒸发或离子镀等技术，在基材上形成薄膜的一种表面处理过程。与传统化学镀膜方法相比，PVD有很多优点：如对环境无污染，是绿色环保工艺；对操作者无伤害；膜层牢固、致密性好、抗腐蚀性强，膜厚均匀。    PVD技术中经常使用的方法主要有：蒸发镀膜（包括电弧蒸发、电子蒸发、电阻丝蒸发等技术）、溅射镀膜（包括直流磁控溅射、中频磁控溅射、射频溅射等技术），这些方法统称物***相沉积（Physical Vapor Deposition），简称为PVD。行业内通常所说的“IP”（ion plating）离子镀膜，是因为在PVD技术中各种气体离子和金属离子参与成膜过程并起到重要作用，为了强调离子的作用，而统称为离子镀膜。靶面金属化合物的形成。扬州CrSe靶材

靶材固体中的杂质和气孔中的氧气和水气是沉积薄膜的主要污染源。硒靶材绑定

靶中毒现象

正离子堆积：靶中毒时，靶面形成一层绝缘膜，正离子到达阴极靶面时由于绝缘层的阻挡，不能直接进入阴极靶面，而是堆积在靶面上，容易产生冷场致弧光放电---打弧，使阴极溅射无法进行下去。（2）阳极消失：靶中毒时，接地的真空室壁上也沉积了绝缘膜，到达阳极的电子无法进入阳极，形成阳极消失现象。

靶中毒的物理解释

一般情况下，金属化合物的二次电子发射系数比金属的高，靶中毒后，靶材表面都是金属化合物，在受到离子轰击之后，释放的二次电子数量增加，提高了空间的导通能力，降低了等离子体阻抗，导致溅射电压降低。从而降低了溅射速率。一般情况下磁控溅射的溅射电压在400V-600V之间，当发生靶中毒时，溅射电压会明显降低。

金属靶材与化合物靶材本来溅射速率就不一样，一般情况下金属的溅射系数要比化合物的溅射系数高，所以靶中毒后溅射速率低。（3）反应溅射气体的溅射效率本来就比惰性气体的溅射效率低，所以反应气体比例增加后，综合溅射速率降低。 硒靶材绑定

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