山东WTi靶材

PECVD 制备氢化非晶硅薄膜 　　本实验采用单晶硅片为衬底，按石英玻璃基片的清洗步骤清洗后烘干，然后置于PECVD系统中。样品制备条件为衬底温度250℃，工作气压120 Pa， 射频功率100 W， 气体流量SiH4/H2=15/5 sccm， 沉积时间30min， 制备得到a- Si：H 薄膜样品。 　　(1) 非晶硅薄膜的表面粗糙度会随着溅射功率的增大而增大，膜的均匀性将会变差; 　　(2) 非晶硅薄膜的表面粗糙度随着衬底加热温度的增大而减小，非晶硅薄膜均匀性变好; 　　(3) 在0.5 Pa 至2.0 Pa范围内，随着氩气气压的增加非晶硅薄膜的表面粗糙度稍微变大; 　　(4) 随着溅射时间的增加, 膜的厚度成非线性增加，沉积速率开始较快，之后逐渐减慢，膜的表面粗糙度逐渐变大; 　　(5)随着溅射气压的增大，沉积速率有所降低。厚度适中：3mm左右，太厚，消耗部分磁强；太薄，容易变形。山东WTi靶材

真空离子镀厚功能镀膜代替现行电镀 真空离子镀厚特性： (1)不用酸碱盐、不用**物、不产生六价鉻，没有三廢排放，对环境没有污染，对人体旡害。 (2)镀膜附着性好不易脱落，有过渡层。 (3)可镀制厚功能鍍膜有耐磨、耐蚀、耐热及特殊性能等镀膜。 (4)镀膜硬度可达Hv2000左右, 可据要求而定。 (5)镀膜厚度可达40微米以上，可据要求而定。 (6)工件基材钢铁为主，有色金属及其合金也可据要求采用。 应用领域：活塞环、轴承轴瓦、叶片、搬手、筛具、压铸模具、 量具、绞刀、丝锥、 板牙、五金工具、机床顶針、一般耐磨件、钳子口、零件修复等等。 扬州Sm靶材价格一般情况下磁控溅射的溅射电压在400V-600V之间，当发生靶中毒时，溅射电压会降低。

NCVM不导电膜是什么，它有哪些特点？ NCVM又称不连续镀膜技术或不导电电镀技术，是一种起缘普通真空电镀的高新技术。真空电镀，简称VM，是vacuum metallization的缩写。它是指金属材料在真空条件下，运用化学、物理等特定手段进行有机转换，使金属转换成粒子，沉积或吸附在塑胶材料的表面，形成膜，也就是我们所谓的镀膜。真空不导电电镀，又称NCVM，是英文Non conductive vacuum metallization的缩写。它的加工工艺高于普通真空电镀，其加工制程比普通制程要复杂得多。 NCVM特点是采用镀出金属及绝缘化合物等薄膜，利用各相不连续之特性，得到外观有金属质感且不影响到无线通讯传输之效果。首先要实现不导电，满足无线通讯产品的正常使用；其次要保证“金属质感”这一重要的外观要求；通过UV涂料与镀膜层结合，保证产品的物性和耐候性，满足客户需求。

靶材表面的比较高点和比较低点的垂直距离为5.75-6mm，例如可以是5.75mm、5.76mm、5.77mm、5.78mm、5.79mm、5.8mm、5.81mm、5.82mm、5.83mm、5.84mm、5.85mm、5.86mm、5.87mm、5.88mm、5.89mm、5.9mm、5.91mm、5.92mm、5.93mm、5.94mm、5.95mm、5.96mm、5.97mm、5.98mm、5.99mm或6mm等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。

本发明中，所述靶材表面的硬度为20-30hv，例如可以是20hv、21hv、22hv、23hv、24hv、25hv、26hv、27hv、28hv、29hv或30hv等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。

本发明中，通过调整靶材表面的高度差及硬度，保证溅射强度，使得溅射过程中薄膜厚度均匀，使用寿命增加。

作为本发明推荐的技术方案，所述靶材的比较大厚度为28-30mm，例如可以是28mm、28.1mm、28.2mm、28.3mm、28.4mm、28.5mm、28.6mm、28.7mm、28.8mm、28.9mm、29mm、29.1mm、29.2mm、29.3mm、29.4mm、29.5mm、29.6mm、29.7mm、29.8mm、29.9mm或30mm等，但不限于所列举的数值，该范围内其他未列举的数值同样适用。 金属化合物的二次电子发射系数比金属的高，靶中毒后，靶材表面都是金属化合物。

ITO薄膜制作过程中的影响因素    ITO薄膜在溅镀过程中会产生不同的特性，有时候表面光洁度比较低，出现“麻点”的现象，有时候会出现高蚀间隔带，在蚀刻时还会出现直线放射型缺划或电阻偏高带，有时候会出现微晶沟缝。         常用的ITO靶材是通过烧结法生产的，就是由氧化铟（In2O3）和氧化锡（SnO2）粉末按照一定的比例进行混合，通常质量比是90%In2O3和10% SnO2，形成的黑灰色陶瓷半导体（氧化铟锡，ITO）。一般通过外观就可以了解ITO靶材的质量，深灰色是好的，相反越黑质量越差，我国生产的ITO靶材质量还可以的是黑灰色的。         研究显示，在真空镀膜机ITO薄膜溅镀过程中，使用磁控溅射的方式，基底温度控制在200℃左右可以保证薄膜85%以上高可见光透过率下，电阻率达到低，而薄膜的结晶度也随着基底温度的提高而提高，晶粒尺寸也逐渐增大，超过200℃后透射率趋于减弱；使用电子束蒸镀的方式，随着退火温度升高，晶粒尺寸变大，表面形貌均一稳定，超过600℃后颗粒变得大小不一，形状各异，小颗粒团聚现象严重，薄膜表面形貌破坏。靶材固体中的杂质和气孔中的氧气和水气是沉积薄膜的主要污染源。北京B4C靶材

靶面金属化合物的形成。山东WTi靶材

 靶材材质对靶溅射电压的影响 　　1. 在真空条件不变的条件下,不同材质与种类靶材对磁控靶的正常溅射电压会产生一定的影响。 　　2. 常用的靶材(如铜Cu、铝Al、钛Ti„)的正常溅射电压一般在400~600V的范围内。 　　3. 有的难溅射的靶材(如锰Mn、铬Cr等) 的溅射电压比较高, 一般需>700V以上才能完成正常磁控溅射过程;而有的靶材(如氧化铟锡ITO) 的溅射电压比较低，可以在200多伏电压时实现正常的磁控溅射沉积镀膜。 　　4. 实际镀膜过程中，由于工作气体压力变化，或阴极与阳极间距偏小(使真空腔体内阻抗特性发生变化)，或真空腔体与磁控靶的机械尺寸不匹配，同时选用了输出特性较软的靶电源等原因，导致磁控靶的溅射电压(即靶电源输出电压)远低于正常溅射示值，则可能会出现靶前存虽然呈现出很亮的光圈，就是不能见到靶材离子相应颜色的泛光，以至不能溅射成膜的状况。山东WTi靶材

江阴典誉新材料科技有限公司地处江苏省江阴市，是一家专业生产溅射靶材和蒸发材料的公司，溅射靶材充分借鉴国外的先进技术，并通过与国内外**研发机构合作，整合各行业资源优势，生产出多系列***溅射靶材产品。 公司目前主要生产金属，合金，陶瓷三大类靶材产品。经过几年的发展和技术积累，已经拥有：真空热压，冷压烧结，真空熔炼，热等静压，等离子喷涂等技术。另外也可根据客户要求研发新型靶材并提供靶材金属化、绑定和背板服务。 江阴典誉新材料科技有限公司已为以下行业提供***的靶材：平面显示、装饰与工具、太阳能光伏和光热、电子和半导体、建筑与汽车玻璃大面积镀膜等工业领域。同时也为国内外各大院校和研究所提供了很多常规和新型的试验用靶材。 江阴典誉目前拥有真空热压炉两台，冷压烧结炉一台，真空熔炼设备两台，等静压设备一台，等离子喷涂两套，绑定平台两套，各类机加工设备七台，检验设备若干，确保出厂的每件产品都能达到甚至超过客户的预期。 江阴典誉秉承：“一切以客户的需求为导向，客户的所有需求一次做好。”的发展理念。