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时间:2020年10月16日 来源:

非晶硅薄膜 多晶硅薄膜具有较高的电迁移率和稳定的光电性能,是制备微电子器件、薄膜晶体管、大面积平板液晶显示的质量材料。多晶硅薄膜被公认为是制备低耗、理想的薄膜太阳能电池的材料。因此,如何制备多晶硅薄膜是一个非常有意义的研究课题。固相法是制备多晶硅薄膜的一种常用方法,它是在高温退火的条件下,使非晶硅薄膜通过固相相变而成为多晶硅薄膜。本文采用固相法,利用X- ray 衍射及拉曼光谱,对用不同方法制备的非晶硅薄膜的晶化过程进行了系统地研究。   在硅薄膜太阳能电池材料中,非晶硅薄膜太阳能电池制造工艺相对简单,但是存在光电转换效率低,寿命短,稳定性不好,并且存在光致衰退效应(S-W 效应)等缺点。单晶硅薄膜太阳能电池因为制作工艺和制作成本等原因始终得不到推广,而多晶硅薄膜材料在长波段具有光敏性,能有效的吸收可见光并且具有光照稳定性。如果化合物的生成速率大于化合物被剥离的速率,化合物覆盖面积增加。镝靶收费

真空镀膜离子镀简析 真空镀膜离子镀,电镀混合废水处理生化过程与传统的物理和化学过程,生物絮凝剂之间的区别可连续操作过程中的育种,生物絮凝剂,以去除金属离子与生物絮凝增加量的增加的剂量,传统的离子交换过程中的离子交换树脂的交换容量是有限的,饱和吸附后,不再能够除去金属离子。   一种离子镀系统,以基片作为阴极,阳极壳,惰性气体(氩气),以产生辉光放电。从蒸发源的分子通过等离子体的电离区域。的正离子被加速衬底台到衬底表面上的负电压。化学沉淀法,化学主体的影响是一定的,没有它们的增殖。离子镀工艺结合蒸发(高沉积速率)和溅射层(良好的薄膜粘合)的工艺特点,并具有很好的衍射,对于形状复杂的工件涂层。   真空镀膜离子镀是真空蒸发和溅射阴极技术的组合。未电离的中性原子(约95%的蒸发材料)也沉积在衬底或真空腔室的壁表面。场对在蒸汽分子(离子能量约几百千电子伏特)和氩离子溅射的基板清洗效果,使薄膜的粘合强度的加***果是增加了。蒸发后的材料的分子的电子碰撞电离离子沉积在固体表面,称为离子镀。镝靶收费靶材密度越高,薄膜的性能越好。

真空离子镀耐高温性能:   航空零件,特别是许多发动机零件往往需要在高温下工作。例如涡轮叶片及导向叶片工作温度通常在摄氏一千度左右,有的甚至达摄氏一千四百度。神话小说《西游记》里孙悟空被太上老君放在炉内烧炼时,恐怕也达不到这么高的温度吧。现代航空发动机零件在这样高的温度下工作,**依赖零件基体材料本身的性能是很难满足要求的。那么,发动机零件怎样才能不怕高温烧蚀呢?目前除在零件结构上采取措施(如采用空心冷却叶片、发散冷却叶片等)以外,大都需用耐热镀层进行保护。离子镀对于沉积耐热膜有相当多的优点,能镀各种高熔点材料,如氧化铝、氧化硅、氧化铍、铪合金等。合金镀层的成份也比较容易控制,适合于镀成分较复杂的耐热合金,如铁铬铝钇,钴铬铝钇或镍铬铝钇合金等。   目前涡轮叶片是试图采用离子镀耐热镀层的主要对象。据悉,有一种叶片用此法镀复一种镍铬铝钇合金后,其高温工作寿命比镀铝提高了三倍。适于采用离子镀耐热镀层的发动机零件还有涡轮盘、气缸活塞零件等。有些零件经过这种先进工艺处理后,可在高温下工作上千小时。

PVD技术常用的方法 PVD基本方法:真空蒸发、溅射 、离子镀(空心阴极离子镀、热阴极离子镀、电弧离子镀、活性反应离子镀、射频离子镀、直流放电离子镀),以下介绍几种常用的方法。 电子束蒸发 电子束蒸发是利用聚焦成束的电子束来加热蒸发源,使其蒸发并沉积在基片表面而形成薄膜。 溅射沉积 溅射是与气体辉光放电相联系的一种薄膜沉积技术。溅射的方法很多,有直流溅射、RF溅射和反应溅射等,而用得较多的是磁控溅射、中频溅射、直流溅射、RF溅射和离子束溅射。 RF(射频)溅射 RF溅射使用的频率约为13.56MHz,它不需要热阴极,能在较低的气压和较低的电压下进行溅射。RF溅射不仅可以沉积金属膜,而且可以沉积多种材料的绝缘介质膜,因而使用范围较广。 电弧离子镀      阴极弧技术是在真空条件下,通过低电压和高电流将靶材离化成离子状态,从而完成薄膜材料的沉积,该技术材料的离化率更高,薄膜性能更加优异。 所以如果是表面容易变质的靶材,如果不抛光去除表面变质部分,沉积到基材上的膜层性质就是表面变质的杂质。

阴-阳极间距对靶溅射电压的影响   真空气体放电阴-阳极间距能够对靶溅射电压造成一定的影响。在阴-阳极间距偏大时,等效气体放电的内阻主要由等离子体等效内阻决定,反之,在阴-阳极间距偏小时,将会导致等离子体放电的内阻呈现较小数值。由于在磁控靶点火起辉后进入正常溅射时,如果阴-阳极间距过小,由于靶电源输出的溅射电压具有一定的软负载特性,就有可能出现在溅射电流已达工艺设定值时,靶溅射电压始终很低又调不起来的状况。“工艺型”靶电源可以改善和弥补这种状况;而“经济型”靶电源对这种状况无能为力。   1. 孪生靶(或双磁控靶)阴-阳极间距   对称双极脉冲中频靶电源和正弦波中频靶电源带孪生靶或双磁控靶运行时,建议其两交变阴-阳极的小极间距不应小于2英2口寸;   2. 单磁控靶阴-阳极间距   靶电源带单磁控靶运行时,一般都不存在这方面问题;但是,在小真空室带长矩形平面磁控单靶时容易忽略这个问题,磁控靶面与真空室金属壳体内壁的小极间距一般亦建议不小于2英2口寸。所以在安装靶材时需要确保阴极与阳极之间没有接触也不能存在导体,否则会产生短路。镝靶收费

由金属靶面通过反应溅射工艺形成化合物的过程中,化合物是在哪里形成的呢?镝靶收费

磁控溅射制备非晶硅薄膜   本实验采用石英玻璃为衬底,实验前先将玻璃衬底浸泡在**溶液中,放到JHN- 4F(200 W)超声波清洗机清洗30 min;然后用分析乙醇同样在超声波清洗机中清洗30 min; 放入装有去离子水的烧杯中在超声波清洗器中清洗约30 min 后晾干。然后以高纯硅为靶材在JGP500型超高真空磁控溅射设备上,分别采用直流和射频方式制备了两块样品。在溅射前,预溅射5 min以除去靶材表面氧化物。1# 样品采用直流磁控溅射方式, 溅射功率为100 W, 本底真空度6×10- 4 Pa , 溅射时间20 min,溅射气压0.5 Pa,衬底温度为室温。2#样品采用射频磁控溅射方式,溅射功率150 W,本底真空度6×10- 4 Pa,溅射时间120 min,溅射气压2.0 Pa,衬底温度为室温。样品1# 和2# 均切为3 小块,其中各保留一小块不做退火处理,其他的小块样品处理情况为1#750℃、1#850℃,2#750℃、2#850℃在马弗炉中退火1h。将1# 和2#未处理样品用拉曼激光诱导方法,研究非晶硅薄膜的晶化过程。镝靶收费

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