南通 氧化锡锑靶

钯，是银白色过渡金属，较软，有良好的延展性和可塑性，能锻造、压延和拉丝。块状金属钯能吸收大量氢气，使体积***胀大，变脆乃至破裂成碎片。 原 子 量：106.4 密  度（20℃）/g•cm-3：12.02 熔  点/℃：1552 蒸发温度/℃：1460 沸  点/℃：3140 汽化温度/℃：1317 比 热 容（25℃）J•（g•K）-1：0.2443 电 阻 率（0℃）/uΩ•cm：10.6 熔 化 热/kJ•mol-1：16.7 汽 化 热/ kJ•mol-1：361.7 热 导 率（0～100℃）/J•（cm•s•℃）-1：0.753 电阻温度系数（0～100℃）/℃-1：0.0038 外  观：银白色 蒸 发 源（丝、片）：W（镀Al2O3） 坩  埚：Al2O3 性  质：与难溶金属形成合金，闪烁蒸发，在EB***内激烈飞溅，钯是银白色过渡金属，较软，有良好的延展性和可塑性，能锻造、压延和拉丝。块状金属钯能吸收大量氢气，使体积***胀大，变脆乃至破裂成碎片。化学性质不活泼，常温下在空气和潮湿环境中稳定，加热至 800℃，钯表面形成一氧化钯薄膜。影响靶中毒的因素主要是反应气体和溅射气体的比例，反应气体过量就会导致靶中毒。南通 氧化锡锑靶

溅射镀膜不良膜层分析，改善方法： 1.白雾主要表现：膜层外观一层白雾。 原因分析及改善：（白雾可擦拭）：外层膜松散粗糙；出炉温差大；潮气吸附；膜层结构不均匀；反应气体不足/不均匀；外层膜应力大等。     （白雾不可擦拭）：残留脏污；材腐蚀污染；膜层之间不匹配；反应气体不足/不均匀；基材受潮污染；真空室脏有水汽；环境温差大。 2.发蒙主要表现：膜层表面粗糙无光。 原因分析及改善：设备漏气；反应气体故障；膜层过厚；偏压故障；       3.色斑主要表现：局部膜色变异。 原因分析及改善：腐蚀，局部折射率改变；前道工程夹具加工方法痕迹（形状规则、部位一致、界限分明）； 周转运输库存过程留下痕迹；研磨抛光残留；多层膜系中，部分膜层过薄；机组微量返油。 4.打火 5.碰擦伤主要表现：划痕碰伤。 原因分析及改善：划痕有膜层：镀前碰擦伤；划痕无膜层（漏基材）：镀后碰擦伤。无锡钡靶厂家对于同一种靶材，晶粒细小的靶的溅射速率比晶粒粗大的靶的溅射速率快。

6. 起辉溅射真空度与前次的差别？

---------更换不同的靶材，起辉压强不尽相同。

换靶材后需要重新调功率匹配器的，只有功率匹配调好了才能正常起辉。 五．磁控溅射一定要求靶材表面要抛光吗？磁控溅射过程中，等离子体的离子撞击靶材，溅射出靶材的原子、原子团、离子、电子、光子等，原子、离子、原子团沉积到基材上形成薄膜。

溅射发生在靶材表面，靶材表面物理状态不均匀也没有关系，溅射的时候会先溅射凸起，溅射时间长了，靶材自己就平了。所以物理不均匀的状态不需要抛光。

　 磁控靶材面积与承载功率范围 1、靶材面积与承载功率范围 　　(1) 圆形平面磁控靶功率密度范围一般为1~25瓦/cm2。 　　(2)矩形平面磁控靶功率密度范围一般为1~36瓦/cm2。 　　(3)柱状磁控靶、锥形平面磁控靶功率密度范围一般为40~50瓦/cm2。 2、磁控靶实际承载功率 　　磁控靶的实际的承载功率除了与溅射工艺、薄膜的质量要求等因数有关外，主要与靶的冷却状况和散热条件密切相关。磁控靶按其冷却散热方式的不同，分为“靶材直接水冷却”和“靶材间接水冷却”两种。 　　考虑到溅射靶长期使用老化后，其散热条件变差;兼顾各种不同靶材材质的散热系数的不同，磁控靶的使用时的承载功率，直接水冷却靶实际的承载大功率可按略小于功率密度范围的上限选取;间接水冷却靶的实际承载大功率可按功率密度范围上限值的二分之一左右选取。 　　磁控靶材(主要是Cu，Ag，黄铜(Brass)和Al青铜(Al bronze) “自溅射”时，一般是选用经过专门设计“靶材直接水冷却”的磁控溅射靶。其使用时的承载功率，均需大于靶功率密度范围的上限值(即>100W/cm2以上)。靶中毒的解决办法：（1）采用中频电源或射频电源。

PVD技术简介 PVD技术是在真空中将钛、金、石墨、水晶等金属或非金属、气体等材料利用溅射、蒸发或离子镀等技术，在基材上形成薄膜的一种表面处理过程。与传统化学镀膜方法相比，PVD有很多优点：如对环境无污染，是绿色环保工艺；对操作者无伤害；膜层牢固、致密性好、抗腐蚀性强，膜厚均匀。    PVD技术中经常使用的方法主要有：蒸发镀膜（包括电弧蒸发、电子蒸发、电阻丝蒸发等技术）、溅射镀膜（包括直流磁控溅射、中频磁控溅射、射频溅射等技术），这些方法统称物***相沉积（Physical Vapor Deposition），简称为PVD。行业内通常所说的“IP”（ion plating）离子镀膜，是因为在PVD技术中各种气体离子和金属离子参与成膜过程并起到重要作用，为了强调离子的作用，而统称为离子镀膜。而晶粒尺寸相差较小(分布均匀)的靶溅射沉积的薄膜的厚度分布更均匀。合肥钨靶型号

磁控溅射金属靶时，无法起辉的原因有很多，常见主要原因。南通 氧化锡锑靶

 靶材材质对靶溅射电压的影响 　　1. 在真空条件不变的条件下,不同材质与种类靶材对磁控靶的正常溅射电压会产生一定的影响。 　　2. 常用的靶材(如铜Cu、铝Al、钛Ti„)的正常溅射电压一般在400~600V的范围内。 　　3. 有的难溅射的靶材(如锰Mn、铬Cr等) 的溅射电压比较高, 一般需>700V以上才能完成正常磁控溅射过程;而有的靶材(如氧化铟锡ITO) 的溅射电压比较低，可以在200多伏电压时实现正常的磁控溅射沉积镀膜。 　　4. 实际镀膜过程中，由于工作气体压力变化，或阴极与阳极间距偏小(使真空腔体内阻抗特性发生变化)，或真空腔体与磁控靶的机械尺寸不匹配，同时选用了输出特性较软的靶电源等原因，导致磁控靶的溅射电压(即靶电源输出电压)远低于正常溅射示值，则可能会出现靶前存虽然呈现出很亮的光圈，就是不能见到靶材离子相应颜色的泛光，以至不能溅射成膜的状况。南通 氧化锡锑靶

江阴典誉新材料科技有限公司地处江苏省江阴市，是一家专业生产溅射靶材和蒸发材料的公司，溅射靶材充分借鉴国外的先进技术，并通过与国内外**研发机构合作，整合各行业资源优势，生产出多系列***溅射靶材产品。 公司目前主要生产金属，合金，陶瓷三大类靶材产品。经过几年的发展和技术积累，已经拥有：真空热压，冷压烧结，真空熔炼，热等静压，等离子喷涂等技术。另外也可根据客户要求研发新型靶材并提供靶材金属化、绑定和背板服务。 江阴典誉新材料科技有限公司已为以下行业提供***的靶材：平面显示、装饰与工具、太阳能光伏和光热、电子和半导体、建筑与汽车玻璃大面积镀膜等工业领域。同时也为国内外各大院校和研究所提供了很多常规和新型的试验用靶材。 江阴典誉目前拥有真空热压炉两台，冷压烧结炉一台，真空熔炼设备两台，等静压设备一台，等离子喷涂两套，绑定平台两套，各类机加工设备七台，检验设备若干，确保出厂的每件产品都能达到甚至超过客户的预期。 江阴典誉秉承：“一切以客户的需求为导向，客户的所有需求一次做好。”的发展理念。