连云港二硼化锆靶材

抛光片300包括抛光片部分310、抛光片第二部分320及抛光片第三部分330。所述抛光片部分310设置于所述顶板210的底部。所述抛光片第二部分320设置于所述顶板210与所述侧板220的拐角处，且在所述抛光片部分310及抛光片第三部分330间平滑的过渡。所述抛光片第三部分330设置于所述侧板220的内侧面上，所述抛光片第三部分330表面与抛光片部分310表面垂直。抛光片第二部分320呈弧状，与经圆角处理的靶材侧棱相匹配，可对靶材侧棱进行抛光。所述抛光片第三部分330表面为平整的平面，能够对靶材侧壁表面进行抛光。因此所述靶材抛光装置100能够同时对靶材侧壁表面及经圆角处理的侧棱进行抛光，有助于提高抛光作业效率。 不同用途的靶材对不同杂质含量的要求也不同。连云港二硼化锆靶材

PECVD 制备氢化非晶硅薄膜   本实验采用单晶硅片为衬底，按石英玻璃基片的清洗步骤清洗后烘干，然后置于PECVD系统中。样品制备条件为衬底温度250℃，工作气压120 Pa， 射频功率100 W， 气体流量SiH4/H2=15/5 sccm， 沉积时间30min， 制备得到a- Si：H 薄膜样品。   (1) 非晶硅薄膜的表面粗糙度会随着溅射功率的增大而增大，膜的均匀性将会变差;   (2) 非晶硅薄膜的表面粗糙度随着衬底加热温度的增大而减小，非晶硅薄膜均匀性变好;   (3) 在0.5 Pa 至2.0 Pa范围内，随着氩气气压的增加非晶硅薄膜的表面粗糙度稍微变大;   (4) 随着溅射时间的增加, 膜的厚度成非线性增加，沉积速率开始较快，之后逐渐减慢，膜的表面粗糙度逐渐变大;   (5)随着溅射气压的增大，沉积速率有所降低。连云港Zn靶材定制反应溅射气体的溅射效率本来就比惰性气体的溅射效率低，所以反应气体比例增加后，综合溅射速率降低。

等离子预处理工艺在真空镀铝膜中的应用。 等离子体是电离了的气体。它由电子、离子和中性粒子3种成分组成，其中电子和离子的电荷总数基本相等，故整体是电中性的。在基材薄膜镀铝前，通过等离子处理装置将电离的等离子体中的电子或离子打到基材薄膜表面，一方面，可以打开材料的长分子链，出现高能基团；另一方面，经打击使薄膜表面出现细小的凹陷，同时还可使表面杂质离解、重解。电离时放出的臭氧有强氧化性，附着的杂质被氧化而除去，使镀铝基材薄膜的表面自由能提高，达到提高镀铝层附着牢度的目的。 等离子预处理技术在不同公司其称呼不同，如英国Bobst公司、德国Leybold Optic莱宝光电等称之为等离子预处理，美国Applied Material公司称之为辉光放电，英国Rexam公司为其注册商标为Camplus技术。另外，不同公司其使用的工艺气体的组分也有所不同，多数公司使用氧气和氩气的组合，也有少数公司使用氮气或氧气与氮气的组合。实践证明经过等离子处理后的薄膜其镀铝层附着牢度可以提高30-50%，且表现为非极性材料提高幅度高于极性材料。

利用原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)，对所制备的非晶硅薄膜进行了定性和定量的表征，研究了溅射功率、衬底温度、溅射时间、氩气气压等因素对非晶硅薄膜表面形貌和厚度的影响。实验结果表明：非晶硅薄膜的表面粗糙度会随溅射功率、溅射时间和溅射气压的增加而增大，而随着衬底加热温度的增加而减小。   对制备的非晶硅薄膜在不同温度和时间进行了退火处理。再利用X- 射线衍射仪(XRD)和拉曼光谱仪，对不同退火温度的样品进行晶化程度的表征。实验结果表明：不同条件制备的非晶硅薄膜在750℃退火1 h 后就已发生不同程度的晶化，并且直流磁控溅射制备的非晶硅薄膜比射频磁控溅射制备的非晶硅薄膜更容易发生晶化;退火温度越高，非晶硅薄膜晶化速率越快。   此外，通过拉曼激光诱导晶化，结果表明：拉曼激光诱导非晶硅晶化为局域晶化，具有晶化速度快的特点;晶化过程中，需要控制激光强度，过强的激光会把非晶硅薄膜烧蚀掉。而晶粒尺寸相差较小(分布均匀)的靶溅射沉积的薄膜的厚度分布更均匀。

 靶中毒的解决办法（1）采用中频电源或射频电源。（2）采用闭环控制反应气体的通入量。（3）采用孪生靶（4）控制镀膜模式的变换：在镀膜前，采集靶中毒的迟滞效应曲线，使进气流量控制在产生靶中毒的前沿，确保工艺过程始终处于沉积速率陡降前的模式。磁控溅射不起辉的常见原因有哪些，怎么应对？磁控溅射金属靶时，无法起辉的原因有很多，常见主要原因有：1.靶材安装准确否?2.靶材表面是否干净------------金属靶表面氧化或有不清洁物质，打磨清理干净后即可。3.起辉电源是否正常------------检查靶电源。4.靶与地线之间短路----------关掉机器，把设备的溅射靶卸下来，靶附近的零件仔细清洗一下；----------压靶盖旋的过紧，没有和靶材之间留下适当的距离，调整距离即可。5.永磁靶表面场强是否下降太多？---------如果下降太多，需要更换磁钢。6.起辉溅射真空度与前次的差别？---------更换不同的靶材，起辉压强不尽相同。换靶材后需要重新调功率匹配器的，只有功率匹配调好了才能正常起辉。 压靶盖旋的过紧，没有和靶材之间留下适当的距离，调整距离即可。扬州SnIn靶材定制

对于同一种靶材，晶粒细小的靶的溅射速率比晶粒粗大的靶的溅射速率快。连云港二硼化锆靶材

真空技术中的清洁处理 (一)概述    真空技术清洁处理一般指的是真空装置的结构材料、填装材料和真空零(部)件的清洁处理。去除或减少污染物将有利于获得良好真空，增加连接强度和气密性，提高产品的寿命 和可靠性。 (二)污染物的几种类型 ①油脂:加工、安装和操作时沾染的润滑剂、真空油脂等; ②水滴:操作时的手汗，吹玻璃时的唾液等; ③表面氧化物:易氧化材料长期基露或放置在潮湿大气中所形成的表面氧化物; ④酸、碱、盐类物质:清洗后的残余物质、手汗、自来水中的矿物质等; ⑤空气中的尘埃及其它有机物。 (三)污染的形成及其影响 真空装置由许多不同的零件组成，它们都是经过各种机械加工完成的，如车、铣、刨、磨、锉、焊接等。这样，零件表面不可避免地会沾上许多加工油脂、汗痕、抛光膏、焊剂、金属屑、油垢等污染物。这些污染物在真空中易挥发，影响真空设备的极限真空。此外，污染物在大气压下吸附了大量的气体，在真空环境中，这些气体也要被释放出来。构成了限制真空设备极限真空的因素。为此，零件组装前必须掉污染物。连云港二硼化锆靶材

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