镇江硒化铅靶作用

密度也是靶材的关键性能指标之一.在靶材的技术工艺中为了减少靶材固体中的气孔，提高溅射薄膜的性能，一般是要求靶材必须具有较高的密度。因为靶材主要特性密度对溅射速率有着很大的影响，并且影响着薄膜的电学和光学性能。靶材密度越高，薄膜的性能越好。

是晶粒尺寸及晶粒尺寸分布。通常靶材为多晶结构，晶粒大小可由微米到毫米量级。对于同一种靶材，晶粒细小的靶的溅射速率比晶粒粗大的靶的溅射速率快；而晶粒尺寸相差较小(分布均匀)的靶溅射沉积的薄膜的厚度分布更均匀。 由金属靶面通过反应溅射工艺形成化合物的过程中，化合物是在哪里形成的呢？镇江硒化铅靶作用

什么是靶材绑定

主要从靶材绑定的定义，适用范围和背靶的选择三个方面来为大家介绍一下靶材绑定。

一.靶材绑定的定义

靶材绑定是指用焊料将靶材与背靶焊接起来。主要由三种方式：压接、钎焊和导电胶。

1.压接：采用压条，一般为了提高接触的良好性，会增加石墨纸、Pb或In皮；

2.钎焊：一般使用软钎料的情况下，要求溅射功率小于20W/cm2，钎料常用In、Sn、In-Sn；

3.导电胶：采用的导电胶要耐高温，厚度在0.02-0.05um。

二.绑定的适用范围

建议绑定的靶材：

ITO、SiO2、陶瓷脆性靶材及烧结靶材；锡、铟等软金属靶；靶材太薄、靶材太贵的情况等。 无锡五氧化三钛靶价钱所以结论就活性金属靶材要求表面抛光，不活泼金属靶材不一定非要求表面抛光。其他非金属的靶材不需要抛光。

靶材材质对靶溅射电压的影响   1. 在真空条件不变的条件下,不同材质与种类靶材对磁控靶的正常溅射电压会产生一定的影响。   2. 常用的靶材(如铜Cu、铝Al、钛Ti„)的正常溅射电压一般在400~600V的范围内。   3. 有的难溅射的靶材(如锰Mn、铬Cr等) 的溅射电压比较高, 一般需>700V以上才能完成正常磁控溅射过程;而有的靶材(如氧化铟锡ITO) 的溅射电压比较低，可以在200多伏电压时实现正常的磁控溅射沉积镀膜。   4. 实际镀膜过程中，由于工作气体压力变化，或阴极与阳极间距偏小(使真空腔体内阻抗特性发生变化)，或真空腔体与磁控靶的机械尺寸不匹配，同时选用了输出特性较软的靶电源等原因，导致磁控靶的溅射电压(即靶电源输出电压)远低于正常溅射示值，则可能会出现靶前存虽然呈现出很亮的光圈，就是不能见到靶材离子相应颜色的泛光，以至不能溅射成膜的状况。

高纯金属的纯度分析原则：高纯金属材料的纯度一般用减量法衡量。减量计算的杂质元素主要是金属杂质，不包括C,O,N,H等间隙元素，但是间隙元素的含量也是重要的衡量指标，一般单独提出。依应用背景的不同，要求进行分析的杂质元素种类少则十几种,多则70多种。简单的说高纯金属是几个N(九)并不能真正的表达其纯度,只有提供杂质元素和间隙元素的种类及其含量才能明确表达高纯金属的纯度水平。高纯金属的纯度检测应以实际应用需要作为主要标准，例如目前工业电解钴的纯度一般接99.99%,而且检测的杂质元素种类较少。我国电解钴的有色金属行业标准(YS/T25522000)要求分析C,S,Mn,Fe,Ni,Cu,As,Pb,Zn,Si,Cd,Mg,P,Al,Sn,Sb,Bi等17个杂质元素,Co9998电解钴的杂质总量不超过0.02，但这仍然不能满足功能薄膜材料材料的要求[2]。一般情况下，金属化合物的二次电子发射系数比金属的高，靶中毒后，靶材表面都是金属化合物。

溅射过程不影响靶材合金、混合材质的比例和性质，所以如果是表面容易变质的靶材，如果不抛光去除表面变质部分，沉积到基材上的膜层性质就是表面变质的杂质。

有一部分靶材在安装之前需要抛光，比如铝靶材等活性金属靶材，长期暴露在大气中，表面容易形成一层氧化皮，在直流脉冲、中频溅射过程中，离子撞击的能量不足以破坏氧化皮，所以一般在溅射的时候进行物理抛光。

一般靶材抛光后，溅射速率、电压等工艺参数比较稳定，容易控制。

所以结论就是，活性金属靶材要求表面抛光，不活泼金属靶材不一定非要求表面抛光。其他非金属的靶材不需要抛光。 靶与地线之间短路 ----------关掉机器，把设备的溅射靶卸下来，靶附近的零件仔细清洗一下。镇江硒化铅靶作用

更换不同的靶材，起辉压强不尽相同。 换靶材后需要重新调功率匹配器的，只有功率匹配调好了才能正常起辉。镇江硒化铅靶作用

PVD技术常用的方法PVD基本方法：真空蒸发、溅射、离子镀（空心阴极离子镀、热阴极离子镀、电弧离子镀、活性反应离子镀、射频离子镀、直流放电离子镀），以下介绍几种常用的方法。电子束蒸发电子束蒸发是利用聚焦成束的电子束来加热蒸发源，使其蒸发并沉积在基片表面而形成薄膜。溅射沉积溅射是与气体辉光放电相联系的一种薄膜沉积技术。溅射的方法很多，有直流溅射、RF溅射和反应溅射等，而用得较多的是磁控溅射、中频溅射、直流溅射、RF溅射和离子束溅射。RF(射频)溅射RF溅射使用的频率约为13.56MHz，它不需要热阴极，能在较低的气压和较低的电压下进行溅射。RF溅射不可以沉积金属膜，而且可以沉积多种材料的绝缘介质膜，因而使用范围较广。电弧离子镀阴极弧技术是在真空条件下，通过低电压和高电流将靶材离化成离子状态，从而完成薄膜材料的沉积，该技术材料的离化率更高，薄膜性能更加优异。镇江硒化铅靶作用

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