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    然后在开口内沉积导电材料(例如，铜和/或铝)，以及随后的平坦化工艺(例如，化学机械平坦化工艺)以形成互连层b。的截面图所示，可以在存储单元a,上方形成存储单元b,。存储单元b。可以包括工作mtj器件和调节访问装置，调节访问装置具有形成在第三互连层c和第四互连层d之间的调节mtj器件和。存储单元b,可以根据与关于图至图描述的那些类似的步骤形成。出了形成具有存储器电路的集成芯片的方法的一些实施例的流程图，该存储器电路包括具有调节访问装置的存储单元(例如，mram单元)，该调节访问装置被配置为选择性地对工作mtj器件提供访问。虽然方法示出和描述为一系列步骤或事件，但是应该理解，这些步骤或事件的示出的顺序不被解释为限制意义。例如，一些步骤可以以不同的顺序发生和/或与除了此处示出的和/或描述的一些的其它步骤或事件同时发生。此外，可能不是所有示出的步骤对于实施此处描述的一个或多个方面或实施例都是需要的，并且此处描述的一个或多个步骤可以在一个或多个单独的步骤和/或阶段中实施。在步骤中，在衬底上方形成互连层。互连层可以形成在衬底上方的ild层内。出了对应于步骤的一些实施例的截面图。在步骤中。深圳有哪家集成电路现货商？深圳美信美科技有限公司。无锡半导体集成电路测试

    产品广泛应用于：汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。所述顶表面由越过印刷电路板的与连接侧相对的侧延伸的一个或多个侧板形成。这些特征将在下面更详细地讨论。图a示出了根据一个实施例的两个相同的印刷电路装配件a和b。印刷电路装配件a和b中的每个包括系统板，多个印刷电路板插座平行地安装在系统板上，所述印刷电路板插座中的一个印刷电路板插座标记为。冷却管6邻接地且平行于每个印刷电路板插座地安装。热接口材料层在冷却管的与系统板相对的一侧布置在每个冷却管6上，并且热耦联至该冷却管6。多个双列直插式存储模块组件电耦联至系统板，所述双列直插式存储模块组件中的一个双列直插式存储模块组件标记为。特别地，每个双列直插式存储模块组件的连接侧布置在印刷电路板插座中的一个印刷电路板插座中。当所述两个印刷电路装配件a和b相对地放置在一起，如图b中所示出的那样。所述印刷电路装配件中的每个印刷电路装配件上的散热器a、b的顶表面与另一个印刷电路装配件上的热接口材料层接触，并且与该热接口材料层热耦联，如在a和b处所指示的那样。在这种配置中。双列直插型集成电路IC深圳市美信美科技有限公司，只做靠谱的原装进口集成电路。

    亚德诺）,LINEAR（凌特）以及TI、MAXIM、NXP等国际有名品牌集成电路。产品广泛应用于：汽车、通信、消费电子、工业控制、医疗器械、仪器仪表、安防监控等领域。使得在所述印刷电路装配件中的每个印刷电路装配件上的散热器的顶表面与另一个印刷电路装配件上的热接口材料层接触，并且与所述热接口材料层热耦联。图是移除了双列直插式存储模块组件的印刷电路装配件的图。图6是印刷电路装配件的图，包括已安装在印刷电路板插座中的双列直插式存储模块组件并且包括已附接的分流管。图a和图b示出了根据一个实施例的、特征在于外部铰链的双列直插式存储模块组件。图a和图b示出了根据一个实施例的、特征在于内部铰链的双列直插式存储模块组件。图示出了根据一个实施例的流程。附图是非详尽的，并且不限制本公开至所公开的精确形式。具体实施方式诸如双列直插式存储模块(dimm)的集成电路产生大量的热量，特别是在高密度配置中。现有许多技术对集成电路进行冷却，但是存在许多与这些现有技术相关的缺点。空气冷却是嘈杂的，并且因此当靠近办公室人员/在工作环境中布置时是不期望的。当需要维护双列直插式存储模块时，液体浸入式冷却是杂乱的。

    另一种方法使用将双列直插式存储模块封装在散热器中的双列直插式存储模块组件，所述散热器热耦联至循环制冷液体的冷却管。所公开的实施例以两个系统板为一对。每个系统板具有在双列直插式存储模块之间交错的冷却管。当这些系统板相对地放置在一起时，每个系统板上的双列直插式存储模块由在另一个系统板上的冷却管冷却。相比于之前的方法，这种方法允许更高密度的双列直插式存储模块，同时仍然提供必要的冷却。这种方法也是安静的，并且由此可以靠近办公室员工放置。这种方法也允许容易的维护，而没有与液体浸入式冷却系统相关的溢出。尽管参考双列直插式存储模块描述了不同实施例，应当认识到的是，所公开的技术可以用于冷却任何集成电路或类似的一个或多个系统和系统中的一个或多个元素/部件。图是系统的关系图，在该系统中可以实施不同实施例。系统包括计算部件，所述计算部件包括处理器和存储器6。存储器6包括多个双列直插式存储模块组件。系统还包括冷却回路。所述冷却回路包括泵、热交换器和储液器。泵将冷却液体提供给双列直插式存储模块组件。由双列直插式存储模块组件产生的热量被传送给液体，加热液体并且冷却双列直插式存储模块组件。集成电路作为全球信息产业的基础与关键，被誉为“现代工业的粮食”。

    调节访问装置被配置为通过控制提供给工作mtj器件的电流来选择性地对存储器阵列内的一个或多个工作mtj器件提供访问。在一些实施例中，调节访问装置可以包括一个或多个调节mtj器件，一个或多个调节mtj器件分别包括mtj，mtj具有通过介电遂穿阻挡层b与自由层b分隔开的固定层b。例如，在一些实施例中，调节访问装置可以包括与相关的工作mtj器件连接的并联连接的调节mtj器件和调节mtj器件。在一些实施例中。调节mtj器件、调节mtj器件和工作mtj器件分别包括mtj，mtj具有通过介电遂穿阻挡层与自由层分隔开的固定层。在一些实施例中，固定层可以包括钴(co)、铁(fe)、硼(b)、镍(ni)、钌(ru)、铱(ir)、铂。pt)等。在一些实施例中，介电遂穿阻挡层可以包括氧化镁(mgo)、氧化铝(alo)等。在一些实施例中，自由层可以包括钴(co)、铁(fe)、硼(b)等。在其它实施例中，调节访问装置可以包括一个或多个电阻器(例如，包括氮化钽、钽、氮化钛、钛、钨等的薄膜电阻器)。例如。深圳市美信美科技有限公司于2020年04月17日成立。公司经营范围包括：一般经营项目是：电子产品及其配件的技术开发与销售；国内贸易等。本公司主营推广销售AD（亚德诺）,LINEAR。买集成电路，认准深圳美信美科技有限公司。江苏通用集成电路芯片

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    在各个实施例中，互连层a可以是互连线层、互连层、第三互连线层或更高金属互连线层。的截面图所示，在互连层a的上表面上方形成多个底电极通孔。多个底电极通孔由介电层围绕。在一些实施例中，介电层可以沉积在互连层a上方，并且然后选择性地被图案化以限定底电极通孔开口。然后通过在底电极通孔开口内的沉积工艺形成多个底电极通孔。在各个实施例中，介电层可以包括碳化硅、富硅氧化物、teos(正硅酸乙酯)等的一种或多种。在各个实施例中，多个底电极通孔可以包括导电材料，诸如钛、氮化钛、钽等。在多个底电极通孔上方形成多个mtj器件、和。多个mtj器件、和分别包括mtj，mtj具有通过介电遂穿阻挡层与自由层分隔开的固定层。在一些实施例中，固定层可以形成为接触底电极通孔。在其它实施例中，自由层可以形成为接触底电极通孔。多个mtj器件、和中的一个包括被配置为存储数据状态的工作mtj器件。多个mtj器件、和中的一个或多个包括设置在调节访问装置内的调节mtj器件和，调节访问装置被配置为控制(即，调节)提供给相关的工作mtj器件的电流。在一些实施例中，可以同时形成多个mtj器件、和。例如，在一些实施例中，可以通过在介电层和多个底电极通孔上方沉积磁固定膜。无锡半导体集成电路测试