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激光二极管------LD&LED区别
在发光原理上的差别：LED是利用注入有源区的载流子自发辐射复合发光，而LD是受激辐射复合发光。发光二极管发出的光子的方向，相位是随机的，激光二极管发出的光子是同方向，同相位。
二者在原理、架构、效能上的差别。
（1）在工作原理上的差别：LED是利用注入有源区的载流子自发辐射复合发光，而LD是受激辐射复合发光。
（2）在架构上的差别：LD有光学谐振腔，使产生的光子在腔内振荡放大，LED没有谐振腔。
（3）效能上的差别 ：LED没有临界值特徴，光谱密度比LD高几个数量级，LED汇出光功率小，发散角大。
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激光二极管------操作和安全措施-驱动和反射
使用合适的驱动器：
激光二极管要求对工作电流和电压进行精确控制，从而防止激光二极管过载。此外，激光驱动器应针对电源瞬变提供保护措施。基于上述考虑，用户应选用合适其应用的激光器驱动器。不能使用带限流电阻的电压源，它不能提供足够的措施以保护激光器。
反射：
光学系统中位于激光二极管之前的平面会引起一定的激光能量反射回激光器中的监测光电二极管，从而错误地给出较高的光电二极管电流。如果系统中的光学部件发生移动，反射的光能不再入射到监测光电二极管上，激光器中的横店功率反馈电路就会感应到光电二极管电流的降低，并会通过提高激光器驱动电流以补偿光电二极管电流，这样一来，就有可能过度驱动激光器。后向反射还会引起激光二极管发生其它故障和损坏。为了防止这些损坏，请确保所有器件的表面都具有5-10°的倾斜角，必要时可以采用光学隔离器对激光器的直接反馈进行衰减。
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激光二极管------主要参数介绍
波长nm：激光器工作波长，例如405nm，450nm，505nm，520nm，635nm，650nm，670nm，685nm，780nm，808nm，830nm，850nm，905nm，940nm。
阈值电流Ith：激光二极管开始产生激光振荡的电流，对小功率激光器而言其值约在数十毫安。
工作电流Iop：激光二极管达到额定输出功率时的驱动电流，此值对于设计调试激光驱动电路较重要。
垂直发散角θ⊥：激光二极管的发光带在与PN结垂直方向张开的角度，一般在15~40左右。
水平发散角θ∥：激光二极管的发光带在与PN结平行方向张开的角度，一般在6~ 10左右。
监控电流Im ：激光二极管在额定输出功率时在PIN管上流过的电流。
激光二极管------激光技术发展
众所周知，激光技术已深入到国民经济和**建设的各个领域。光盘（CD）的巨大市场驱动着半导体激光器的技术发展，红光半导体激光二极管的诞生又将激光技术推向新的发展阶段。目前，世界上有众多的厂家纷纷开发生产激光二极管。激光二极管产品按波长和功率分类已形成系列，并继续向短波和大功率发展。
由激光二极管配以光学和冷却系统构成的小型红光半导体激光器（光源），正被大量用于投线仪，扫描仪，医疗，瞄准指示等行业。
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激光二极管------激光二极管发展
自1962年发明了世界上***）台半导体激光器以来，半导体激光器发生了巨大的变化，极大地推动了其他科学技术的发展。
近年来用于信息技术领域的小功率半导体激光器发展极快。如用于光纤通信的DFB和动态单模的激光二极管以及在光盘处理中大量应用的可见光波长的激光二极管，甚至是超短脉冲的激光二极管都得到了大幅度的革新性进步。
小功率激光二极管其自身还拥有这高集成、高速率以及可调谐的发展特征。大型高功率半导体激光器的发展速度也不断加快。
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激光二极管------取放存放措施
1.静电手环：在取放激光二极管时应使用接地的防静电手环。
手环可以安全地将去除接触激光二极管、放大光电探测器和其他静电敏感设备的人员身上的静电。接地线内含1兆欧的电阻以确保用户的安全，如果腕带与静电控制平台垫一起使用，防静电效果会更好。
2.防静电台垫：应在接地的防静电台垫上对其进行操作。
静电弛豫时间50毫秒，防静电台垫可以保护敏感的光电器件免受静电放电的损坏。这些重型垫的静电弛豫时间为50毫秒，确保能在极端条件下发挥防护作用。静电防护腕带一般可以与平台垫相连接，当接触敏感电子器件时，通过腕带使操作人员接地是非常必要的。
3. 激光二极管存放：在不适用激光二极管时，将激光二极管的导线短接，从而防止发生ESD损坏。
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