新疆510nm激光二极管应用
激光二极管------波长&应用
半导体激光依波长及应用，大致可分为短波长与长波长激光两大类。短波长激光包含发光波长由390纳米到950纳米的激光，主要使用于光驱、激光打印机、条形码机、扫描仪及指示器等光信息及显示的应用；长波长激光则涵盖发光波长由980纳米至1550纳米之激光，主要用于光纤通讯。
以激光二极管的波长及操作的功率分类，从短波长到长波长激光二极管种类细分为以下四类。
（1）390～550纳米
（2）635～670纳米
（3）750～950纳米
（4）980～1550纳
常用的激光二极管种类有两种:①PIN光电二极管。它在收到光功率产生光电流时，会量子噪声。②雪崩光电二极管。它提供内部放大,比PIN光电二极管的传输距离远，但量子噪声更大。的信噪比，光检测器件须连接低噪声预放大
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激光二极管------激光二极管优点
半导体激光器具有体积小、重量轻、寿命长、运转可靠性高、能耗低、电光转换效率高、易于大规模生产以及价格较低廉等优点，在CD激光唱片机、光纤通信、光存储器、激光打印机等获得广泛应用，范围覆盖了整个光电子学领域。
随着技术的不断发展和突破，半导体激光器正向发射波长更短、发射功率更大、超小型、长寿命的方向发展，以满足各种应用的需要，产品种类日益丰富。在激光加工、3D打印、激光雷达、激光测距、医疗和生命科学等方面也得到了大量应用。另外，通过耦合进光纤进行传输，大功率直接半导体激光器在切割和焊接领域得到了广泛应用。
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激光二极管------LD&LED区别
在发光原理上的差别：LED是利用注入有源区的载流子自发辐射复合发光，而LD是受激辐射复合发光。发光二极管发出的光子的方向，相位是随机的，激光二极管发出的光子是同方向，同相位。
二者在原理、架构、效能上的差别。
（1）在工作原理上的差别：LED是利用注入有源区的载流子自发辐射复合发光，而LD是受激辐射复合发光。
（2）在架构上的差别：LD有光学谐振腔，使产生的光子在腔内振荡放大，LED没有谐振腔。
（3）效能上的差别 ：LED没有临界值特徴，光谱密度比LD高几个数量级，LED汇出光功率小，发散角大。
激光二极管------产生条件
实现粒子数反转、满足阈值条件谐振条件。产生光的受激发射的首要条件是粒子数反转，在半导体中要把价带内的电子抽运到导带。离子数反转，通常采用重掺杂的P型和N型材料构成PN结，，在外加电压作用下，在结区附近就了离子数反转—在高费米能级EFC以下导带中贮存着电子，而在低费米能级EFV的价带中贮存着空穴。实现粒子数反转是产生激光的必要条件，但不是充分条件。要产生激光，还要有损耗极小的谐振腔，谐振腔的主要部分是两个互相平行的反射镜，激发物质所发出的受激辐射光在两个反射镜来回反射，引起新的受激辐射，使其被放大。只有受激辐射放大的增益大于激光器内的各种损耗，即满足的阈值条件: P1P2exp(2G - 2A) ≥ 1
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激光二极管------结构
半导体激光二极管的基本结构如图所示，垂直于PN结面的一对平行平面构成法布里——珀罗谐振腔，它们可以是半导体晶体的解理面，也可以是经过抛光的平面。其余两侧面则相对粗糙，用以消除主方向外其它方向的激光作用。
半导体中的光发射通常起因于载流子的复合。当半导体的PN结加有正向电压时，会削弱PN结势垒，迫使电子从N区经PN结注入P区，空穴从P区经过PN结注入N区，这些注入PN结附近的非平衡电子和空穴将会发生复合，从而发射出波长为λ的光子
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激光二极管------激光定位原理
对于激光定位而言，更多适用于室内，并且要在环境中布置安装一定数量反射板，同时需要注意反射板安装的精度，相隔距离，安装时避开窗户， 非对称布置等要素;定位分为初始的静态定位和运动过程中的动态定位，静态定位用于确定初始位置，动态定位则根据运动状态不断更新 。
在激光器扫描一周的过程中，理论上可以计算得到激光器距离所有反光板的距离，同时根据感测时间和扫面周期，利用三角公式可以计算得到任意两块反光板之间的距离，将测量得到的距离与离线理论值进行比较从而匹配每个反光板的编号与位置信息。
对于扫描一周过程中因障碍物等因素为检测到的反光板，则在考虑数量的基础上对匹配方法进行一定的修正，也能匹配得到反光板信心，**终计算得到激光器所处位置。
动态过程相对于静态扫描可以省去较为复杂的计算和匹配过程在位置估计定时T时间内，通过转向和速度、加速度等信息可以估计出位置，同时考虑到各种干扰，该位置必然存在误差;用估计处的位置，计算出理论的反光板距离得到期望列表，同时可以通过设置反光板估算距离阈值范围的方式加速匹配。
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